Invention Grant
CN1209817C 用于封装后DRAM修复的耐熔熔丝电路
失效 - 权利终止
- Patent Title: 用于封装后DRAM修复的耐熔熔丝电路
- Patent Title (English): Refractory fuse circuit for packaged DRAM repair
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Application No.: CN00104867.8Application Date: 2000-01-11
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Publication No.: CN1209817CPublication Date: 2005-07-06
- Inventor: 杨羽暎 , 崔周善 , 魏在庆 , 薛永镐 , 吴进根 , 金泌中 , 赵浩烨
- Applicant: 现代电子产业株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 马莹
- Priority: 60/115,377 1999.01.11 US
- Main IPC: H01L27/04
- IPC: H01L27/04 ; G11C7/00

Abstract:
耐熔熔丝电路包括三个子模块:具有控制信号和地址输入的多路转移器;由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器;以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝,由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器,并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中,在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时,来自编程电压发生器的程序地址和编程电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。
Public/Granted literature
- CN1266285A 用于封装后DRAM修复的耐熔熔丝电路 Public/Granted day:2000-09-13
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IPC分类: