公开(公告)号：CN101438420A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016230.5

申请日：2007-02-09

申请人： 太阳能公司

发明人： P·J·卡普斯

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L31/02008 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/068 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 硅太阳能电池具有掺杂的非晶硅触点，所述触点形成在硅基底的表面上的隧道氧化硅层上。在制作该太阳能电池时，不需要高温处理。

公开(公告)号：CN101355116A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810130072.2

申请日：2008-07-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 荒井康行 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的目的在于在不降低堆积速度的同时在大面积衬底上生产率高地形成以500℃以下直接形成的优质的微晶半导体层，而提供一种将该结晶半导体层用作光电转换层的光电转换装置。对由并列设置的多个波导管、以及墙面包围的处理室供应包含氦的反应气体，在将所述处理室内的压力保持为大气压或准大气压的同时，对由并列设置的波导管夹住的空间供应微波来产生等离子体，来在装载于处理室内的衬底上堆积由微晶半导体构成的光电转换层。在并列设置的多个波导管的相对表面设置槽缝，通过该槽缝将微波供应到处理室内产生等离子体，来谋求实现等离子体的高密度化。将当产生该等离子体时的压力设定为大气压或者准大气压。

公开(公告)号：CN100423136C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200480017096.7

申请日：2004-06-16

申请人： 日本板硝子株式会社

发明人： 濑户康德 ,  藤泽章 ,  末吉幸雄

IPC分类号： H01B5/14 ,  H01M14/00 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  C03C17/23 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/241 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/24942

摘要： 本发明提供一种透明导电性基板，包括透明的基底、和在该基底上形成的导电性的金属氧化物膜，该金属氧化物膜含有锡和氟，在采用SIMS对该金属氧化物膜测定的深度方向分布图中，从氟的灵敏度相对于锡的灵敏度的比的最大值Imax中减去最小值Imin后得到的值为0.15以上，Imax比1大，Imin比1小，且显示Imax的位置比显示Imin的位置更靠近金属氧化物膜的表面。由此，本发明提供一种以良好的平衡性改善透光性和导电性的透明导电性基板。

公开(公告)号：CN101008079A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710003765.0

申请日：2007-01-24

申请人： 德古萨公司 ,  弗劳恩霍弗实用研究促进协会

发明人： R·桑南舍恩 ,  H·劳勒德 ,  H·J·霍恩 ,  S·勒伯 ,  N·施林杰

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/03921 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种从基于硅的前体开始以气相沉积在基材表面上制备硅层的方法，其特征在于，使用四氯化硅作为前体。此外，本发明还涉及应用本发明方法制得的薄层太阳能电池或结晶硅薄层太阳能电池。本发明还涉及四氯化硅在制备基材上的经气相沉积的层中的应用。

公开(公告)号：CN1389930A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN01122638.2

申请日：1995-05-19

申请人： 佳能株式会社

发明人： 藤崎达雄 ,  长谷部明男 ,  村上勉 ,  都筑幸司 ,  一濑博文 ,  高田健司 ,  竹山祥史 ,  新仓谕

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供了一种光电装置,该光电装置包括至少一根位于光电元件的一个表面上用于收集由该光电元件产生的电能的金属线,该金属线在其整个长度的范围内被涂覆了一种导电粘合剂并被固定在该光电元件上。在低成本高可靠性地生产光电装置过程中生产该光电装置无需涂覆和固化该导电粘合剂。

公开(公告)号：CN1325550A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN99813034.6

申请日：1999-11-08

申请人： 太平太阳有限公司

发明人： 季静佳 ,  施正荣

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： C03C17/3636 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3678 ,  C03C2217/73 ,  C03C2218/31 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

摘要： 一种薄膜硅太阳能电池被形成在涂敷有织构化层(32)的玻璃基底(11)上,该层包括混合有织构颗粒(34)的SiO2膜(33),织构颗粒的直径约为1－2μm,由此形成织构表面(39)。SiO2膜比织构颗粒的平均直径薄,使得石英穿过甩涂玻璃突出出来。此时电介质层提供势垒层功能,然而,可以选择采用具有与织构化表面(39)共形的上表面(35)的独立的抗反射膜(38)。如图所示,然后在抗反射膜(38)的织构化表面(35)上面形成硅膜(15)。该硅膜的厚度最好是0.5－2μm(也就是,厚度类似于SiO2层表面上提供的织构零件的尺寸)。尽管用这种方法制作的硅膜松散地与其下方的织构化表面共形,但该膜的相反表面至少在小尺度上基本上不平行,使得光通常以一定角度穿过硅膜到硅表面。更重要的是,光将时常以与表面(36)法线成较大角度,撞击硅膜的后表面(图中是上表面),使得对于大量的入射光,会发生内部全反射。表面(36)也可以用反射材料(40)(比如后部接触)来涂敷,以协助内部反射到达这个表面的光。

公开(公告)号：CN1298207A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN00128327.8

申请日：2000-11-24

申请人： 索尼株式会社

发明人： 町田晓夫 ,  达拉姆·帕尔·高塞恩 ,  野口隆 ,  堆井节夫

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/204 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种Ⅳ族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说,例如,在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以,在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上,能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。

公开(公告)号：CN1234454A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99107463.7

申请日：1999-02-05

申请人： 佳能株式会社

发明人： 园田雄一

IPC分类号： C25D3/54 ,  C25D5/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C25D5/028 ,  C25D7/0614 ,  C25D9/04 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种在导电基体上通过从水溶液中电沉积形成氧化锌薄膜的方法,它能阻止薄膜沉积在基体的背面上。更具体地,在含有硝酸根离子的水溶液中提供用于阻止薄膜沉积在基体背面上的薄膜沉积阻挡电极,并且供给电流以得到“反电极>基体>薄膜沉积阻挡电极”的电位关系。该方法可应用于制备太阳能电池的工艺,由此改进了短路电流密度、光电转换效率、生产率和太阳能电池的耐用性。

公开(公告)号：CN1112294A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN94120764.1

申请日：1994-12-30

申请人： 佳能株式会社

发明人： 德武伸郎 ,  佐野政史 ,  林享 ,  东川诚

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。

公开(公告)号：CN1023362C

公开(公告)日：1993-12-29

申请号：CN90104925.5

申请日：1990-06-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 高林明治 ,  米原隆夫

IPC分类号： H01L31/036 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光生伏特器件包括：一具有被一绝缘层包围着的多个导电表面的基片，设置有覆盖所述那些导电表面的多个单晶层区域的、多个第一光生伏特单元，以及设置有一个覆盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。上述各单晶层区域是彼此隔离设置的。