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公开(公告)号：CN1809898A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017096.7
申请日：2004-06-16
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , C03C17/23 , C03C2217/211 , C03C2217/241 , H01L31/03921 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5206 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种透明导电性基板，包括透明的基底、和在该基底上形成的导电性的金属氧化物膜，该金属氧化物膜含有锡和氟，在采用SIMS对该金属氧化物膜测定的深度方向分布图中，从氟的灵敏度相对于锡的灵敏度的比的最大值Imax中减去最小值Imin后得到的值为0.15以上，Imax比1大，Imin比1小，且显示Imax的位置比显示Imin的位置更靠近金属氧化物膜的表面。由此，本发明提供一种以良好的平衡性改善透光性和导电性的透明导电性基板。
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公开(公告)号：CN1872749B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200610093025.6
申请日：2002-09-05
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C3/078 , C03C4/0085 , C03C4/10
Abstract: 本发明提供在玻璃原料熔融时可以有效抑制NiS生成的高透过玻璃板及其制造方法。本发明的高透过玻璃板是由含有换算为Fe2O3不足0.02重量％的总的氧化铁的钠钙硅酸盐玻璃组成的玻璃板，是含有0.006～2.0重量％的锌氧化物的高透过玻璃板。
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公开(公告)号：CN1427805A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01808890.2
申请日：2001-03-06
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C23/002 , C03C3/087 , C03C3/095 , C03C4/12 , H01L27/14625 , H01L31/0392 , H01L31/0481 , H01L31/0488 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供以下高透射板玻璃：由作为着色成分，以重量％表示，含有换算成0.005％～不足0.02％的Fe2O3的全部氧化铁、不足0.008％的FeO、0～0.25％的氧化铈，并且换算成Fe2O3的FeO与全部氧化铁之比不足40％的组成构成，具有高的可见光透射比以及日照透射比的高透射板玻璃、或者含有0.06％以下的全部氧化铁以及0.025～0.20％的氧化铈，照射波长335nm的紫外线时的395nm的荧光强度与600nm的荧光强度之比为10％以上的高透射板玻璃。
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公开(公告)号：CN100488905C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN01808890.2
申请日：2001-03-06
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C23/002 , C03C3/087 , C03C3/095 , C03C4/12 , H01L27/14625 , H01L31/0392 , H01L31/0481 , H01L31/0488 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供以下高透射板玻璃：包含作为着色成分，以重量%表示，含有换算成0.005%～不足0.02%的Fe2O3的全部氧化铁、不足0.008%的FeO、0～0.25%的氧化铈，并且换算成Fe2O3的FeO与全部氧化铁之比不足40%的组成，具有高的可见光透射比以及日照透射比的高透射板玻璃、或者含有0.06%以下的全部氧化铁以及0.025～0.20%的氧化铈，照射波长335nm的紫外线时的395nm的荧光强度与600nm的荧光强度之比为10以上的高透射板玻璃。
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公开(公告)号：CN1872749A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610093025.6
申请日：2002-09-05
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C3/078 , C03C4/0085 , C03C4/10
Abstract: 本发明提供在玻璃原料熔融时可以有效抑制NiS生成的高透过玻璃板及其制造方法。本发明的高透过玻璃板是由含有换算为Fe2O3不足0.02重量％的总的氧化铁的钠钙硅酸盐玻璃组成的玻璃板，是含有0.006～2.0重量％的锌氧化物的高透过玻璃板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1286755C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02148222.5
申请日：2002-09-05
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C3/078 , C03C4/0085 , C03C4/10
Abstract: 本发明提供在玻璃原料熔融时可以有效抑制NiS生成的高透过玻璃板及其制造方法。本发明的高透过玻璃板是由含有换算为Fe2O3不足0.02重量%的总的氧化铁的钠钙硅酸盐玻璃组成的玻璃板，是含有0.006～2.0重量%的锌氧化物的高透过玻璃板。
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公开(公告)号：CN101477846A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910006139.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C03C15/00 , C03C17/22 , C03C2217/77 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。
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公开(公告)号：CN100423136C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480017096.7
申请日：2004-06-16
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , C03C17/23 , C03C2217/211 , C03C2217/241 , H01L31/03921 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5206 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种透明导电性基板，包括透明的基底、和在该基底上形成的导电性的金属氧化物膜，该金属氧化物膜含有锡和氟，在采用SIMS对该金属氧化物膜测定的深度方向分布图中，从氟的灵敏度相对于锡的灵敏度的比的最大值Imax中减去最小值Imin后得到的值为0.15以上，Imax比1大，Imin比1小，且显示Imax的位置比显示Imin的位置更靠近金属氧化物膜的表面。由此，本发明提供一种以良好的平衡性改善透光性和导电性的透明导电性基板。
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公开(公告)号：CN1864235A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029503.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C03C15/00 , C03C17/22 , C03C2217/77 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。
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公开(公告)号：CN101477846B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910006139.6
申请日：2004-11-18
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C03C15/00 , C03C17/22 , C03C2217/77 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。
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