公开(公告)号：CN101477846A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910006139.6

申请日：2004-11-18

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 濑户康德 ,  吉田英将 ,  藤泽章 ,  末吉幸雄

IPC: H01B5/14 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  C23C30/00 ,  C23C16/00 ,  B32B7/02 ,  B32B33/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/77 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。

公开(公告)号：CN1864235A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029503.6

申请日：2004-11-18

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 濑户康德 ,  吉田英将 ,  藤泽章 ,  末吉幸雄

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C23C16/40 ,  B32B9/00 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/77 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。

公开(公告)号：CN101477846B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910006139.6

申请日：2004-11-18

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 濑户康德 ,  吉田英将 ,  藤泽章 ,  末吉幸雄

IPC: H01B5/14 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  C23C30/00 ,  C23C16/00 ,  B32B7/02 ,  B32B33/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/77 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。

公开(公告)号：CN100495588C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200480029503.6

申请日：2004-11-18

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 濑户康德 ,  吉田英将 ,  藤泽章 ,  末吉幸雄

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C23C16/40 ,  B32B9/00 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C03C15/00 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/77 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15%以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。