公开(公告)号：CN113253562A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202010913267.5

申请日：2020-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  钱志道 ,  陈明威 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。

公开(公告)号：CN113238455A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202011469628.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模胚之上形成光致抗蚀剂层。掩模胚包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON形成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化吸收体层。

公开(公告)号：CN113138528A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011388345.0

申请日：2020-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/68

Abstract: 本揭露提供一种极紫外(extreme ultra violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上定义结构。

公开(公告)号：CN110967917A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910909214.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  王子奕

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

公开(公告)号：CN110837203A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910754735.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  林秉勳 ,  王士哲 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/24

Abstract: 光罩的制造方法包含形成保护层于基板上方。形成多个反射薄膜多层于保护层上方。形成覆盖层于多个反射薄膜多层上方。形成吸收层于覆盖层上方。形成第一光阻层于部分的吸收层上方。图案化部分的第一光阻层与吸收层，而形成第一开口于吸收层中。第一开口暴露出部分的覆盖层。移除第一光阻层的剩余部分，并形成第二光阻层于部分的吸收层上方。第二光阻层至少覆盖第一开口。图案化未被第二光阻层覆盖的吸收层、覆盖层、与多个反射薄膜多层的部分，而形成第二开口。第二开口暴露出部分的保护层，且移除第二光阻层。

公开(公告)号：CN109960104A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201810457279.4

申请日：2018-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  陈建诚 ,  李信昌 ,  陈嘉仁 ,  许倍诚 ,  苏益辰 ,  李环陵 ,  沈仓辉

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24

Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。

公开(公告)号：CN109814331A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810994414.9

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  林秉勋 ,  何彦政 ,  林志诚 ,  陈嘉仁

IPC: G03F1/50

Abstract: 制作光掩模的方法包括以射线选择性曝光空白光掩模的部分，改变空白光掩模曝光至射线的部分的光学性质，因此形成空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的图案。图案对应多个半导体装置结构的图案。

公开(公告)号：CN109581806A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810141775.9

申请日：2018-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游秋山 ,  涂志强 ,  陈建诚 ,  张宗裕 ,  谢昆龙 ,  许倍诚 ,  李信昌 ,  林云跃

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/82

Abstract: 一种从光掩模移除护膜的方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。

公开(公告)号：CN108873601A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710545410.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游秋山 ,  许倍诚 ,  李信昌 ,  林宜彦

IPC: G03F1/64

Abstract: 一种护膜包括框架、薄膜以及垫片。所述框架包括止回阀，其中所述止回阀被配置成允许气体从所述护膜的内部流至所述护膜的外部。所述框架的底表面界定出凹槽。所述薄膜延伸跨越所述框架。所述垫片被配置成配合在所述凹槽中。本发明实施例的护膜及使用所述护膜的方法可延长掩膜的使用寿命。

公开(公告)号：CN103258068B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210226332.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  陈嘉仁 ,  叶励志 ,  严涛南

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/36 ,  G03F1/42 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00

Abstract: 本发明公开了一种用于通过在组中的掩模之间将框架区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。示例性方法包括：创建对应于掩模的掩模设计数据库，并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域之外的框架区域。识别框架区域内的基准部件，并且根据基准部件，识别空闲框架区域。对应于被配置成与掩模对准的参考掩模的参考掩模设计被用于确定用于空闲框架区域的参考密度。掩模设计数据库的空闲框架区域被修改为对应于参考密度。然后，修改后的掩模设计数据库可用于进一步使用，包括制造掩模。本发明还提供了一种通过去除沉积在掩模的空白上的膜来减少掩模重叠误差。