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公开(公告)号：CN102593045A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110462711.7
申请日：2011-12-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村荣一
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/02063 , C23F4/00 , H01J37/32091 , H01L21/02068 , H01L21/32136 , H01L21/32138 , H01L21/76805
Abstract: 本发明提供一种不使用卤素气体就能够提高铜部件的蚀刻率的基板处理方法。在基板处理装置(10)中，在得到了具有被平滑化的表面(50)的Cu层(40)后，将在氢气中添加了甲烷气体的处理气体导入处理室(15)的内部空间，从该处理气体生成等离子体，使在氧化层(42)的蚀刻时生成的氧游离基(52)和从甲烷生成的碳游离基(53)存在于处理室(15)的内部空间，从氧游离基(52)和碳游离基(53)生成有机酸，使该有机酸与Cu层(40)的铜原子反应，而生成含有铜原子的有机酸的络合物，进而使该生成的该络合物蒸发。
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公开(公告)号：CN101042988B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710089424.X
申请日：2007-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村荣一
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布/显影机(11)利用涂布单元(22c)将光硬化性树脂涂布在晶片(W)的背面上，利用硬化单元(82a)硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元(22a)在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂。曝光机(12)将紫外线向着抗蚀剂，照射在与规定的掩模图形翻转后的图形相对应的部分上，对抗蚀剂进行曝光处理。显影单元(82a)利用清洗液除去实施过曝光处理的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。蚀刻装置(13)将晶片吸附保持在基座(39)的静电卡盘(49)上，对晶片的背面进行RIE处理。清洗装置(14)利用基板清洗单元(77)等溶解、除去形成在晶片背面上的树脂保护膜。
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公开(公告)号：CN101095379B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200580045692.0
申请日：2005-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻泽刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/31138 , G03F7/427 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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公开(公告)号：CN102112651A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130664.7
申请日：2009-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/36 , C23C16/34 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/318 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/31144 , C23C16/347 , C23C16/5096 , G03F7/091 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/3146 , H01L21/318
Abstract: 本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N2气体的处理气体的工序，从供给的CO气体和N2气体形成无定形碳氮膜(330)的工序，在膜(330)上形成氧化硅膜(335)的工序，在膜(335)上形成ArF抗蚀剂膜(345)的工序，对ArF抗蚀剂膜(345)进行图案形成的工序，将ArF抗蚀剂膜(345)作为掩膜对氧化硅膜(335)进行蚀刻的工序，将氧化硅膜(335)作为掩膜对无定形碳氮膜(330)进行蚀刻的工序，将无定形碳氮膜(330)作为掩膜对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN102064105A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010548590.3
申请日：2007-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村荣一
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H01L21/308
Abstract: 一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布/显影机(11)利用涂布单元(22c)将光硬化性树脂涂布在晶片(W)的背面上，利用硬化单元(82a)硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元(22a)在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂。曝光机(12)将紫外线向着抗蚀剂，照射在与规定的掩模图形翻转后的图形相对应的部分上，对抗蚀剂进行曝光处理。显影单元(82a)利用清洗液除去实施过曝光处理的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。蚀刻装置(13)将晶片吸附保持在基座(39)的静电卡盘(49)上，对晶片的背面进行RIE处理。清洗装置(14)利用基板清洗单元(77)等溶解、除去形成在晶片背面上的树脂保护膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552874C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610142497.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67196 , H01L21/67201
Abstract: 本发明提供一种能够高效率地除去氧化物层和有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三处理单元(36)包括框体状的处理室容器(腔室)(50)、氧气供给系统(192)和天线装置(191)，氧气供给系统(192)通过氧气供给环(198)向收容有晶片(W)的腔室(50)内供给氧气，天线装置(191)向供给有氧气的腔室(50)内导入微波。
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公开(公告)号：CN100521088C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200380100597.7
申请日：2003-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/09
Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。
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公开(公告)号：CN100433248C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610067114.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , F24F7/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有：向搬送室(200)内导入外气的供气部(230)、与供气部(230)相对地设置，排出搬送室(200)内气体的排气部(250)、设置在排气部(250)上，由至少除去排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器(256)构成的排气过滤机构(254)。
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公开(公告)号：CN101236915A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810003074.5
申请日：2008-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够充分改良聚焦环和载置台之间的热传导效率。该基板处理装置(10)包括：收纳晶片W的腔室(11)；配置在该腔室(11)内的基座(12)；配置在基座(12)的上部并用于载置晶片W的静电卡盘(22)；和以包围所载置的晶片W的周边部的方式载置在静电卡盘(22)上的聚焦环(24)，通过印刷处理在聚焦环(24)与静电卡盘(22)的接触面(24a)上形成由树脂构成的热传导膜(39)。
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公开(公告)号：CN101095379A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045692.0
申请日：2005-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻泽刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/31138 , G03F7/427 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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