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    一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法
    71.
    发明公开
    一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105590873A

    公开(公告)日：2016-05-18

    申请号：CN201510975404.7

    申请日：2015-12-23

    申请人： 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

    发明人： 李全宝 ,  韩冬 ,  姚海平

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/11614

    摘要： 本发明公开了一种干法刻蚀凸块形貌可控的制备方法，包括以下步骤：在衬底上附着氧化层(oxide)介质膜；在氧化层介质膜上旋涂上光刻胶PR，然后进行曝光，显影；对光刻胶PR进行烘烤，使光刻胶PR形成固定的形貌和厚度；采用RIE干法刻蚀，使用CF4和CHF3气体组合来对介质膜进行刻蚀；保持CF4和CHF3的气体总流量不变，调整CF4和CHF3气体的比例，从而获得一定的oxide和PR的选择比；通过特定oxide和PR的选择比，在介质膜刻蚀过程中，在PR形貌和厚度固定的情况下，逐渐消耗两个肩膀的PR，从而达到介质膜刻蚀呈现正梯形，最终得到底部坡度形貌可控的凸块形状。该方法制备技术简单，制备的凸块形貌可控、重复性良好。

    一种半导体器件及其制作方法
    72.
    发明公开
    一种半导体器件及其制作方法 无效

    公开(公告)号：CN105590869A

    公开(公告)日：2016-05-18

    申请号：CN201410572405.2

    申请日：2014-10-24

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 郭亮良

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/528

    CPC分类号： H03H9/1014 ,  H01L23/055 ,  H01L23/10 ,  H01L23/147 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/16235

    摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：衬底，形成在衬底上的子组件，具有金属连接件的帽盖组件，贯穿衬底形成的第一通孔和第二通孔，以及在衬底上包围子组件形成的金属连接衬垫，其中所述子组件包括第一金属层以及与所述第一金属层绝缘的第二金属层，第一通孔和第二通孔填充有金属，第一通孔中的金属与子组件的第一金属层电性连接，第二通孔中的金属与子组件的第二金属层电性连接，所述金属连接衬垫与金属连接件对接。本发明避免了金属连接衬垫与金属连接件的界面接合处存在电阻而导致器件性能较差的问题。

    图像传感器芯片的晶圆级封装方法
    73.
    发明授权
    图像传感器芯片的晶圆级封装方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103489885B

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201310463861.9

    申请日：2013-09-30

    申请人： 格科微电子(上海)有限公司

    发明人： 赵立新 ,  李文强 ,  邓辉 ,  夏欢

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/04 ,  H01L21/683

    CPC分类号： H01L2224/11

    摘要： 一种图像传感器芯片的晶圆级封装方法，包括：提供晶圆、混合基板和载板，所述晶圆包含多个图像传感器芯片，所述混合基板包含支撑框架和多个透明基板，所述支撑框架包含多个窗口，所述透明基板对应封盖所述窗口；将所述晶圆、混合基板和载板顺次层叠固定在一起；对所述晶圆背面进行再分布线工艺和焊料凸点制作工艺；沿切割道切割所述晶圆和所述混合基板，使多个所述图像传感器芯片分离形成多个图像传感器芯片模组，所述的图像传感器芯片模组包括分离后的混合基板单元和与其黏接的图像传感器芯片单元。所述方法使图像传感器芯片在整个封装过程中保持干净，并且不受到损伤，封装后得到的图像传感器芯片模组具有很高的可靠性。

    半导体封装结构与方法
    74.
    发明授权
    半导体封装结构与方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN102254834B

    公开(公告)日：2016-04-27

    申请号：CN201010183029.X

    申请日：2010-05-18

    申请人： 异基因开发有限责任公司

    发明人： 张文雄

    IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12

    CPC分类号： H01L2224/11

    摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构与方法，此方法是利用粘着层将多个晶片切片粘着至承载基底的第一表面上。其中，相邻的晶片切片之间具有暴露出部分粘着层的间隙。然后，在各间隙内填入封装层。再来，在各晶片切片中形成至少一个硅通孔，以暴露出配置在晶片切片的有源表面上的连接垫。之后，在各晶片切片背面形成重布线路层，以填入这些硅通孔中而与对应的连接垫电性连接。最后再进行切割工艺，以自各封装层切割至承载基底与第一表面相对的第二表面，以形成多个半导体封装结构。本发明的半导体封装方法不但可以节省工艺成本，更可以提高半导体元件的整体良率。而且，本发明的半导体封装结构可防止外界水气渗入其中而受损。

    标径BGA封装金属焊球的制备方法及模具
    76.
    发明公开
    标径BGA封装金属焊球的制备方法及模具 有权

    公开(公告)号：CN105489511A

    公开(公告)日：2016-04-13

    申请号：CN201510854262.9

    申请日：2015-11-30

    申请人： 苏州瑞而美光电科技有限公司

    发明人： 王峰 ,  赵海琴

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/11

    摘要： 本发明公开了一种标径BGA封装金属焊球的制备方法及模具，通过在保护气体保护的环境下，用刮刀将熔融的金属原材料刮入模具的阵列通孔内，再通过冷却使阵列通孔内的熔融金属原材料在表面张力的作用下收缩成球，并且为了便于成球和脱模，在模具的表面涂有耐高温不粘层。通过该方法和模具来制备标径BGA封装金属焊球，生产效率高、生产成本低、球直径可控，并且所制得的标径BGA封装金属焊球真圆度高、球径均匀性好、球表面质量好。广泛应用与BGA植球，Flip Chip等电子封装技术领域。

    半导体芯片封装结构及封装方法
    78.
    发明授权
    半导体芯片封装结构及封装方法 有权

    公开(公告)号：CN102945840B

    公开(公告)日：2016-04-13

    申请号：CN201210478147.2

    申请日：2012-11-22

    申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

    发明人： 王之奇 ,  喻琼 ,  王蔚

    IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L2224/11

    摘要： 本发明揭示了一种半导体芯片封装结构及封装方法，其中，所述封装结构包括：芯片，其包括上表面及与上表面相背的下表面，所述芯片上设置有控制电路；第一电连接件，位于所述芯片的下表面，电性连接所述控制电路；第二电连接件，位于所述芯片的上表面，通过再分布线路电性连接所述第一电连接件；其中，所述再分布线路和所述芯片的表面之间还设有第二绝缘层和第一绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。与现有技术相比，本发明通过在晶圆封装结构的通孔壁上设置双层绝缘层，提高了芯片的绝缘稳定性及信耐性，且相对地简化了工艺流程。