发明授权
- 专利标题: MEMS器件及其形成方法
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申请号: CN201210556596.4申请日: 2012-12-20
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公开(公告)号: CN103193193B公开(公告)日: 2016-03-30
- 发明人: 梁凯智 , 朱家骅 , 李德浩 , 李久康 , 林宗贤
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 孙征
- 优先权: 61/583,048 2012.01.04 US; 13/571,264 2012.08.09 US
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00 ; B81C3/00 ; B81B7/00
摘要:
微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面,所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
公开/授权文献
- CN103193193A MEMS器件及其形成方法 公开/授权日:2013-07-10