公开(公告)号：CN102254834B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201010183029.X

申请日：2010-05-18

申请人： 异基因开发有限责任公司

发明人： 张文雄

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构与方法，此方法是利用粘着层将多个晶片切片粘着至承载基底的第一表面上。其中，相邻的晶片切片之间具有暴露出部分粘着层的间隙。然后，在各间隙内填入封装层。再来，在各晶片切片中形成至少一个硅通孔，以暴露出配置在晶片切片的有源表面上的连接垫。之后，在各晶片切片背面形成重布线路层，以填入这些硅通孔中而与对应的连接垫电性连接。最后再进行切割工艺，以自各封装层切割至承载基底与第一表面相对的第二表面，以形成多个半导体封装结构。本发明的半导体封装方法不但可以节省工艺成本，更可以提高半导体元件的整体良率。而且，本发明的半导体封装结构可防止外界水气渗入其中而受损。

公开(公告)号：CN102254857B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010183027.0

申请日：2010-05-18

申请人： 异基因开发有限责任公司

发明人： 张文雄

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺及结构，该工艺是先提供导电基底，接着在导电基底上形成至少一个绝缘图案。然后，在绝缘图案上形成金属图案。再来，进行第一电镀工艺，以于导电基底上形成保护层覆盖金属图案。与已知以光刻蚀刻工艺形成保护层的方法相比，本发明可大幅降低半导体工艺的成本。