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公开(公告)号：CN100508140C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200610005816.9
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。
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公开(公告)号：CN100444320C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410058844.8
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/428 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02672 , C30B13/24 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/2022 , H01L21/2026 , H01L27/1277 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，脊在结晶半导体膜表面上形成网格图形。半波片或镜被用作用来控制偏振方向的装置。
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公开(公告)号：CN101299412A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109622.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN101110437A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710142234.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
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公开(公告)号：CN100342551C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102284.7
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1596046A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410078526.8
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01S5/18388 , H01L33/20 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01S5/02212 , H01S5/02228 , H01S5/0267 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/14 , H01S5/36 , H01S5/423
Abstract: 本发明揭示了以激光振荡器为代表的发光器件，该激光振荡器由场致发光材料构成，具有改进的激光振荡效率和平稳降低的耗电特性。所揭示的发光器件包括发光元件，该发光元件包括具有凹部分的第一电极，用作为激光介质、在第一电极上形成的，同凹部分重叠的场致发光层，形成在场致发光层上同凹部分重叠的第二电极，在场致发光层中产生的光在第一电极与第二电极之间谐振，从第二电极作为激光反射，激光的光轴同第二电极相交，第一电极在凹部分具处有曲面，曲面的曲率中心位于在第一电极上面的第二电极的一侧。
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公开(公告)号：CN1492488A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03158812.3
申请日：2003-09-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , B23K26/00 , H01S3/00 , G02F1/00
Abstract: 本发明的目的是提供使激光能量更稳定的激光装置、激光照射方法和半导体器件的制作方法。为此，对振荡器发射的激光束的一部分进行采样，以生成包含激光束的能量波动作为数据的电信号。对该电信号进行信号处理，以计算激光束能量波动的频率、幅度和相位。光量调节装置的透射比被控制，使得透射比变化的相位与激光束能量波动的相位相反，且幅度能够减小振荡器发射的激光束的幅度，该控制根据与从振荡器发射的激光束的振荡同步的信号的相位与计算得到的相位之间的相位差、根据采样的激光束与从振荡器发射的激光束的能量比率、以及根据计算得到的频率和幅度进行。在光量调节装置中，从振荡器振荡的激光束的能量被调节。
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公开(公告)号：CN1421899A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152955.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G06F9/45
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。
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公开(公告)号：CN118588742A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410727601.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/04 , C01G15/00 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
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公开(公告)号：CN114512547A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210049336.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开的发明名称是“氧化物半导体膜及半导体装置”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。
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