公开(公告)号：CN108807264B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810410364.5

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN111066140B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880058616.0

申请日：2018-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克 ,  A·B·穆里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。

公开(公告)号：CN110709967B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880036516.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN109643639B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201780052875.8

申请日：2017-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  段子青 ,  M·嘉德瑞 ,  P·P·杰哈 ,  A·B·玛里克 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN116568859A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082876.3

申请日：2021-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  越泽武仁 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C16/40

Abstract: 公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。

公开(公告)号：CN116313773A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310272601.7

申请日：2017-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/308 ,  C23C16/50 ,  C23C16/06 ,  C23C16/28 ,  C23C16/32

Abstract: 描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

公开(公告)号：CN116157897A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052806.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： B·布扬 ,  Z·沈 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  X·王 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性处理方法可包括使第一沉积前驱物流入基板处理区域中以形成初始化合物层的第一部分。第一沉积前驱物可包括醛反应性基团。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第一沉积前驱物的第一沉积流出物。所述方法可包括使第二沉积前驱物流入基板处理区域中。第二沉积前驱物可包括胺反应性基团，并且胺反应性基团可与醛反应性基团反应以形成初始化合物层的第二部分。所述方法可包括从基板处理区域移除包括第二沉积前驱物的第二沉积流出物。所述方法可包括使初始化合物层退火以在基板的表面上形成经退火的含碳材料。

公开(公告)号：CN115917707A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180043981.6

申请日：2021-06-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开的实施例总体涉及制造集成电路。更具体地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个或多个实施例中，提供一种处理基板的方法并且所述方法包括将含有烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的处理腔室的处理空间中，其中将处理空间维持在约0.5毫托至约10托的压力下。方法还包括通过将第一RF偏压施加到静电卡盘来在基板处产生等离子体以在基板上沉积掺杂的类金刚石碳膜，其中掺杂的类金刚石碳膜具有大于2g/cc的密度和小于‑500MPa的应力。

公开(公告)号：CN115362528A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180024620.7

申请日：2021-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/50

Abstract: 本文公开无氢(低H)二氧化硅层。一些实施例提供用于使用无氢的硅前驱物和无氢的氧源来形成低H层的方法。一些实施例提供用于调节低H二氧化硅膜的应力轮廓的方法。进一步，本公开内容的一些实施例提供在退火之后展现减少的堆叠弓曲的氧化物氮化物堆叠。

公开(公告)号：CN114450773A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080068046.0

申请日：2020-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·齐 ,  王慧圆 ,  Y·饶 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 说明一种在半导体装置中用于蚀刻方法的非共形、高选择性衬垫。一种方法包括在基板上形成膜堆叠；蚀刻膜堆叠以形成开口；在开口中沉积非共形衬垫；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；以及相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠以形成逻辑或存储器孔洞。非共形衬垫包括硼、碳或氮中的一者或多者。