公开(公告)号：CN105280652B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410723334.1

申请日：2014-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  陈秋镕 ,  简荣亮 ,  李国政 ,  许永隆 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器。一种半导体图像传感器件包括衬底，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区域位于衬底中。辐射感测区域被配置为感测从第二侧进入衬底的辐射。多个阻光结构设置在衬底的第二侧上方。钝化层涂覆在每一个阻光结构的顶面和侧壁上。多个间隔件设置在钝化层的涂覆在阻光结构侧壁上的部分上。

公开(公告)号：CN104051474B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310241562.0

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  简荣亮 ,  赵志刚 ,  郑志成 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一个或多个图像传感器以及将光导向光电二极管的技术。一种具有堆叠栅格结构的图像传感器包括金属栅格，该金属栅给被配置成朝向相应的光电二极管引导光且使光偏离其他光电二极管中。该图像传感器还包括位于金属栅格之上的介电栅格和填充栅格用以将光导向相应的光电二极管且将其从其他光电二极管中导出，在此该填充栅格具有与介电栅格不同的折射率。通过这种方式消除了串扰以及由通过错误的光电二极管探测光而导致出现的其他问题。

公开(公告)号：CN106531752A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610669565.8

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  蔡宗翰 ,  李国政 ,  简荣亮 ,  许永隆

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、器件层、复合栅格结构、钝化层和滤色器。器件层位于衬底上面。复合栅格结构位于器件层上面。复合栅格结构包括：穿过复合栅格结构的腔，并且复合栅格结构包括金属栅格层和堆叠在金属栅格层上的介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅格结构。滤色器分别地填充腔。本发明实施例涉及具有串扰改进的CMOS图像传感器结构。

公开(公告)号：CN104051501B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410006691.6

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简荣亮 ,  郑允玮 ,  郑易沂 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  黄智睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04

Abstract: 具体地，本发明提供了用于集成电路的一个或多个支撑结构和用于形成这种支撑结构的技术。支撑结构包括一个或多个沟槽结构，诸如环绕集成电路外围所形成的第一沟槽结构和第二沟槽结构。在一些实施例中，根据局部衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得在衬底的区域内形成相应的沟槽结构。在一些实施例中，根据非连续的衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得相应的沟槽结构包括通过衬底的分离区域间隔开的一个或多个沟槽部分。支撑结构减弱到达集成电路的应力能，并且有利于从集成电路释放工艺感生电荷。

公开(公告)号：CN105023928A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410311837.8

申请日：2014-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈秋镕 ,  郑允玮 ,  简荣亮 ,  李国政 ,  周俊豪 ,  许永隆 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在衬底的第二侧上方。每个辐射阻挡结构都与相应的间隙对准。多个滤色器设置在辐射阻挡结构之间。本发明还提供了一种形成半导体图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN109768056B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN201810142045.0

申请日：2018-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄薰莹

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供图像传感装置的形成方法，包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面，且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第二沟槽于半导体基板中。第二沟槽自背面延伸至半导体基板中，并露出第一隔离结构。方法包括形成第二隔离结构于第二沟槽中。第二隔离结构包括光阻挡结构以吸收或反射入射光。

公开(公告)号：CN118983326A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410322005.X

申请日：2024-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊豪 ,  郑允玮 ,  李国政

IPC: H01L27/146 ,  H01S5/026

Abstract: 本揭露关于一种光电装置及其形成方法。本揭露所描述的一些实施方式包括用于微光应用的光电装置及用于形成光电装置的技术。光电装置包括近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器及可见光像素感测器。近红外光垂直腔表面发射激光装置及近红外光像素感测器包含选择性生长的磊晶材料(例如硅锗、砷化镓或另一III/V型材料)，磊晶材料改善近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器的效能。

公开(公告)号：CN113078177B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202110201416.X

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  贾钧伟

IPC: H01L27/146 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。

公开(公告)号：CN113725240B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110177764.8

申请日：2021-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  王钲源

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器，其中，滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值；以及在滤色器上形成微透镜。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN112310051B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202010288296.7

申请日：2020-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  陈英豪

IPC: H01L25/065 ,  H10B80/00 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明描述了形成在三维芯片结构的功能或非功能区域中的散热结构。这些散热结构被配置为将在三维芯片结构内产生的热量传递至三维芯片结构上或外部的指定区域。例如，三维芯片结构可以包括垂直堆叠在衬底上的多个芯片、介于多个芯片中的第一芯片和第二芯片之间的第一钝化层以及嵌入第一钝化层中并且配置为允许导电结构穿过的散热层。本发明还涉及堆叠结构。