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公开(公告)号：CN104495766A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410764375.5
申请日：2014-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。
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公开(公告)号：CN104112803A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410147977.6
申请日：2014-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/18 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。
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公开(公告)号：CN103956417A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191726.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/6835 , H01L2221/6834
Abstract: 一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶层的氧化锌分解，使半导体支撑层和半导体单晶外延层与衬底分离，该半导体支撑层和半导体单晶外延层为半导体晶体层；采用机械抛光的方法，将半导体晶体层的半导体支撑层去除，得到半导体单晶外延层，该半导体单晶外延层为非极性面或半极性面的单晶半导体自支撑衬底，完成制备。本发明具有低成本、大尺寸的优点。
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公开(公告)号：CN102820211A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210313725.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形成自组装横向外延模板；以及在自组装横向外延模板上生长非极性A面GaN薄膜。采用本发明自组装纳米尺度的横向外延模板可以改善薄膜质量，获得具有较高晶体质量的非极性GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN102817073A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210325568.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层，随后对该非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层进行高温退火，形成自组装纳米尺度的横向外延模板；利用MOCVD技术在横向外延模板上生长非极性A面高温GaN模板层；利用MOCVD技术，用氮气作为载气将铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在非极性A面高温GaN模板层上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室降到300摄氏度以下关闭氮源，完成非极性A面InGaN薄膜的生长。利用本发明，可以获得较高质量富In组分的InGaN薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102206856B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110113282.2
申请日：2011-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3：关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5：待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。
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公开(公告)号：CN100546017C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610169750.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/00 , H01L31/0264 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN100424221C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410009816.7
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/22 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪(HfCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属铪离子(Hf+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化铪(HfN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，可制备得到具有原子尺度光滑平整的高结晶质量氮化铪(HfN)薄膜，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN101210345A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169751.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。
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公开(公告)号：CN100345247C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03155388.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解耦合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解耦合的作用。
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