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公开(公告)号：CN101281941A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710065182.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN100590236C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610169751.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。
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公开(公告)号：CN100511739C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710065182.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101538737A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102197.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/16 , C30B29/62 , C30B25/18 , H01L31/0296
Abstract: 一种利用p型掺杂的硅为衬底生长氧化锌纳米棒的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选取一硅衬底；步骤2：在硅衬底(111)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法生长氧化锌纳米棒；步骤3：将得到的氧化锌纳米棒样品静置在反应室腔体中缓慢冷却，直至反应室腔体中的温度与室温相同时再取出，完成氧化锌纳米棒的制作。
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公开(公告)号：CN101428842A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710176926.6
申请日：2007-11-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧气，使得在锌隔离层上得到氧化锌纳米棒阵列外延层。
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公开(公告)号：CN101210345A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169751.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。
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公开(公告)号：CN1885050A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510011983.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明设计了一种强磁场的霍尔效应测试装置。该装置由外延片、电磁铁组、恒流源、极性控制电路、可控稳压源、测量电路、计算机、三相交流电、温控装置连接构成。该测试方法步骤：(1)将外延片做好电极，连接好导线；(2)接通三线交流电源，运行计算机控制程序，根据程序要求，依次输入各参数；(3)可以改变样品环境温度，在新的平衡温度下继续测量相关参数；(4)将测量结果存档或者打印出来，测试结束。
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公开(公告)号：CN1964081A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510086844.3
申请日：2005-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氧化锌基的蓝光发光二极管，包括：一衬底，该衬底为圆形；一缓冲层制作在衬底上，该缓冲层有利于提高材料的外延生长质量；一n－氧化锌层制作在缓冲层上，在该n－氧化锌层的边缘刻蚀出环形台阶，该n－氧化锌层有利于作出环形金/钛电极；一i－氧化锌有源层制作在n－氧化锌层上，该i－氧化锌有源层的主要作用是电子空穴复合；一p－氧化锌层制作在i－氧化锌层上，该p－氧化锌层提供注入的空穴；一金/镍层制作在p－氧化锌层上，该金/镍层有利于注入电流的扩散；一金/镍电极制作在金/镍层上，该金/镍电极提供与导线的接触；一环形金/钛电极制作在n－氧化锌层的环形台阶上。
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