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公开(公告)号：CN1885050A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510011983.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明设计了一种强磁场的霍尔效应测试装置。该装置由外延片、电磁铁组、恒流源、极性控制电路、可控稳压源、测量电路、计算机、三相交流电、温控装置连接构成。该测试方法步骤：(1)将外延片做好电极，连接好导线；(2)接通三线交流电源，运行计算机控制程序，根据程序要求，依次输入各参数；(3)可以改变样品环境温度，在新的平衡温度下继续测量相关参数；(4)将测量结果存档或者打印出来，测试结束。
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公开(公告)号：CN101245491A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710063881.1
申请日：2007-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底，表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中；步骤2：使用金属有机物化学气相沉积方法，在衬底上生长纳米棒的ZnO层，以用来限制后续生长GaN的二维生长；步骤3：用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层，以清除表面的污染；步骤4：在反应室中，采用金属有机物化学气相沉积方法，使用纯N2载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层，纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径；步骤5：在反应室中，使用N2+H2混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层，完成无支撑的GaN纳米晶层的生长。
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公开(公告)号：CN101245491B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710063881.1
申请日：2007-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底，表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中；步骤2：使用金属有机物化学气相沉积方法，在衬底上生长纳米棒的ZnO层，以用来限制后续生长GaN的二维生长；步骤3：用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层，以清除表面的污染；步骤4：在反应室中，采用金属有机物化学气相沉积方法，使用纯N2载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层，纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径；步骤5：在反应室中，使用N2+H2混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层，完成无支撑的GaN纳米晶层的生长。
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