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公开(公告)号：CN109950303A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910187930.5
申请日：2019-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。
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公开(公告)号：CN105572086A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510930539.1
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6456
Abstract: 本发明提出了一种用光学方法精确自组织量子点空间位置的方法。该方法利用金圆盘作标记，用共聚焦扫描显微镜测量标记样品的反射信号和荧光信号，通过分析成像数据，仔细校正系统误差之后，得到量子点相对金属标记的空间位置，实现单个量子点的定位。该方法具有通用性，可以用于各种存在荧光性质的单个纳米结构的定位工作。该方法通过详细的误差分析显著提高定位精度，能够满足绝大部分工作中对定位精度的要求。该方法利用自动控制系统完成测量，利用计算机程序完成数据处理，可以实现大批量量子点的定位工作，具有极强的工程应用性。
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公开(公告)号：CN101567521B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810104761.6
申请日：2008-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制。
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公开(公告)号：CN101540357B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810102198.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
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公开(公告)号：CN101540357A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102198.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101428842A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710176926.6
申请日：2007-11-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧气，使得在锌隔离层上得到氧化锌纳米棒阵列外延层。
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公开(公告)号：CN100424220C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410009815.2
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/22 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属锆离子(Zr+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化锆(ZrN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域的氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN100400703C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410098996.0
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属铪薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN101017830A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003529.4
申请日：2006-02-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规SOI可协变衬底，包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层；一具有六方结构的金属铪薄中间层，制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上，并与之一起构成复合可协变层，共同协调失配应变，从而得到SOI型复合可协变层衬底；一大失配外延层，与Si(100)衬底有较大晶格失配，制备在六方金属铪薄中间层上，并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。
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公开(公告)号：CN116659671A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210159385.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J4/04
Abstract: 本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，确定该平均值等于零时该探测器所需施加的目标外加偏压；给该探测器施加该目标外加偏压，利用施加该目标外加偏压后的探测器探测圆偏振光。本申请还公开了一种圆偏振光探测装置、电子设备及存储介质。
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