公开(公告)号：CN115224587A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202211002443.5

申请日：2022-08-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙瑞轩 ,  宁超 ,  刘舒曼 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/34

Abstract: 本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。

公开(公告)号：CN114825038A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210433416.7

申请日：2022-04-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宁超 ,  孙瑞轩 ,  刘舒曼 ,  张锦川 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 本公开提供了一种带间级联激光器外延结构，所述带间级联激光器外延结构包括在衬底上依次生长的缓冲层、下超晶格包层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、上超晶格包层和盖层，所述盖层采用厚度大于10nm，且与所述衬底材料晶格匹配的单一成分的材料。本公开还提供了一种带间级联激光器及其制备方法、带间级联激光器芯片及其制备方法。

公开(公告)号：CN109950303A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910187930.5

申请日：2019-03-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 于天 ,  刘舒曼 ,  宁超 ,  徐波 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  王占国

IPC: H01L29/15 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。

公开(公告)号：CN109950303B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910187930.5

申请日：2019-03-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 于天 ,  刘舒曼 ,  宁超 ,  徐波 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  王占国

IPC: H01L29/15 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。