公开(公告)号：CN116885562A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310920335.4

申请日：2023-07-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 鹿希雨 ,  管延娇 ,  孙瑞轩 ,  刘舒曼 ,  刘俊岐 ,  王利军 ,  刘峰奇 ,  张锦川 ,  翟慎强 ,  卓宁

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/10 ,  H01S5/06 ,  H01S5/0683

Abstract: 本发明提供一种环形外腔带间级联激光器及其制备方法，包括：带间级联激光器；在带间级联激光器的前腔面侧镀上一层减反膜；带间级联激光器的前腔面侧和后腔面侧分别设置有前腔面直透镜和后腔面直透镜；闪耀光栅，设置于前腔面直透镜的前腔面侧；镀金反射镜组，包括沿闪耀光栅的出射光路上设置的第一镀金反射镜、第二镀金反射镜和第三镀金反射镜；其中，前腔面直透镜、闪耀光栅、第一镀金反射镜、第二镀金反射镜、第三镀金反射镜及后腔面直透镜形成环形光路腔；带间级联激光器的前腔面侧发射出光信号，通过环形光路腔后，从后腔面侧再次入射到带间级联激光器。该装置可比零级衍射光输出的Littrow外腔获得更宽的光谱调谐范围和更大的输出功率。

公开(公告)号：CN117175350A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310470661.X

申请日：2023-04-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙瑞轩 ,  刘舒曼 ,  宋哲煜 ,  张锦川 ,  刘俊岐 ,  王利军 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 本公开提供一种带间级联激光器，包括：底部供电模组和顶部供电模组；以及有源层，设置在底部供电模组和顶部供电模组之间，有源层适用于在底部供电模组和顶部供电模组供电的情况下提供增益产生激光，有源层包括在两个光学限制层之间交替设置的多个增益核层和多个光学限制层；其中，光学限制层的折射率大于增益核层的折射率，以使激光在有源层内传播并产生多个光学模式，通过调节增益核层的激射波长和/或光学限制层的厚度，以使多个光学模式中的基模模式的限制因子高于每个高阶模式的限制因子。

公开(公告)号：CN114825038A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210433416.7

申请日：2022-04-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 宁超 ,  孙瑞轩 ,  刘舒曼 ,  张锦川 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 本公开提供了一种带间级联激光器外延结构，所述带间级联激光器外延结构包括在衬底上依次生长的缓冲层、下超晶格包层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、上超晶格包层和盖层，所述盖层采用厚度大于10nm，且与所述衬底材料晶格匹配的单一成分的材料。本公开还提供了一种带间级联激光器及其制备方法、带间级联激光器芯片及其制备方法。

公开(公告)号：CN118137294B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410557719.9

申请日：2024-05-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙瑞轩 ,  刘舒曼 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  程凤敏 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括：衬底；位于衬底上的N个激光器阵列单元，其中，N为大于等于3的正整数，至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置；以及导热部，其中，导热部的至少一部分位于至少两个相邻的激光器阵列单元之间的间隙中。通过导热部的设置，解决了增加有源区面积造成的散热困难问题，成倍提高了激光器的输出功率。本发明的实施例还提供了一种带间级联激光器阵列芯片的制备方法。

公开(公告)号：CN118137294A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410557719.9

申请日：2024-05-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙瑞轩 ,  刘舒曼 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  程凤敏 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括：衬底；位于衬底上的N个激光器阵列单元，其中，N为大于等于3的正整数，至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置；以及导热部，其中，导热部的至少一部分位于至少两个相邻的激光器阵列单元之间的间隙中。通过导热部的设置，解决了增加有源区面积造成的散热困难问题，成倍提高了激光器的输出功率。本发明的实施例还提供了一种带间级联激光器阵列芯片的制备方法。

公开(公告)号：CN115224587A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202211002443.5

申请日：2022-08-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙瑞轩 ,  宁超 ,  刘舒曼 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/34

Abstract: 本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。