公开(公告)号：CN109950303A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910187930.5

申请日：2019-03-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 于天 ,  刘舒曼 ,  宁超 ,  徐波 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  王占国

IPC: H01L29/15 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。

公开(公告)号：CN109950303B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910187930.5

申请日：2019-03-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 于天 ,  刘舒曼 ,  宁超 ,  徐波 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  王占国

IPC: H01L29/15 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。

公开(公告)号：CN105624792A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610173297.0

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘广政 ,  杨冠卿 ,  于天 ,  徐波

IPC: C30B29/42 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/42 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。

公开(公告)号：CN105624792B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610173297.0

申请日：2016-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘广政 ,  杨冠卿 ,  于天 ,  徐波

IPC: C30B29/42 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。