公开(公告)号：CN100369198C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410048229.9

申请日：2004-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴洁君 ,  黎大兵 ,  陆沅 ,  韩修训 ,  李杰民 ,  王晓辉 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  B32B5/00 ,  B32B37/00

Abstract: 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元Ⅲ族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。

公开(公告)号：CN1825539A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510009509.3

申请日：2005-02-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴洁君 ,  韩修训 ,  李杰民 ,  黎大兵 ,  陆沅 ,  王晓晖 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L21/20

Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于III族氮化物的六方相物质(如低温氮化铝，氮化镓铝，氮化硼等)，形成具有应力补偿作用的缓冲层结构；2)加入一种活化剂使应力补偿层易于在低温下形成，同时表面平整晶体质量高；3)预沉积的六方相物质由于晶格常数小于III族氮化物，可在其上生长的III族氮化物薄膜中引入压应力，从而补偿与硅衬底热失配引入的拉应力。

公开(公告)号：CN100345247C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN03155388.5

申请日：2003-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  刘祥林 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解耦合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解耦合的作用。

公开(公告)号：CN1713349A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410048229.9

申请日：2004-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴洁君 ,  黎大兵 ,  陆沅 ,  韩修训 ,  李杰民 ,  王晓辉 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  B32B5/00 ,  B32B31/00

Abstract: 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹III族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元III族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。

公开(公告)号：CN1591772A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03155388.5

申请日：2003-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  刘祥林 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解偶合的作用。

公开(公告)号：CN1216401C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1484276A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1452214A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02105735.4

申请日：2002-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强；本发明的键合强度可调节柔性衬底成功的解决了柔性层与机械支撑衬底的键合强度问题，可以生长出高质量的外延膜。