公开(公告)号：CN100369198C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410048229.9

申请日：2004-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴洁君 ,  黎大兵 ,  陆沅 ,  韩修训 ,  李杰民 ,  王晓辉 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  B32B5/00 ,  B32B37/00

Abstract: 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元Ⅲ族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。

公开(公告)号：CN1825539A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510009509.3

申请日：2005-02-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴洁君 ,  韩修训 ,  李杰民 ,  黎大兵 ,  陆沅 ,  王晓晖 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L21/20

Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于III族氮化物的六方相物质(如低温氮化铝，氮化镓铝，氮化硼等)，形成具有应力补偿作用的缓冲层结构；2)加入一种活化剂使应力补偿层易于在低温下形成，同时表面平整晶体质量高；3)预沉积的六方相物质由于晶格常数小于III族氮化物，可在其上生长的III族氮化物薄膜中引入压应力，从而补偿与硅衬底热失配引入的拉应力。

公开(公告)号：CN1713349A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410048229.9

申请日：2004-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴洁君 ,  黎大兵 ,  陆沅 ,  韩修训 ,  李杰民 ,  王晓辉 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  B32B5/00 ,  B32B31/00

Abstract: 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹III族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元III族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。