公开(公告)号：CN100345247C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN03155388.5

申请日：2003-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  刘祥林 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解耦合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解耦合的作用。

公开(公告)号：CN1591772A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03155388.5

申请日：2003-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  刘祥林 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解偶合的作用。

公开(公告)号：CN1216401C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1484276A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1452214A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02105735.4

申请日：2002-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强；本发明的键合强度可调节柔性衬底成功的解决了柔性层与机械支撑衬底的键合强度问题，可以生长出高质量的外延膜。