公开(公告)号：CN102543775A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110276346.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 种泰雄 ,  片村幸雄 ,  芳村淳 ,  岩见文宏

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/27901 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 根据实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的芯片区域的第1面形成粘接层。沿着切割区域将半导体芯片单片化，并经由粘接层阶梯状地层叠半导体芯片。在粘接层的形成中，在第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片接触的第1区域的至少一部分设置粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部。

公开(公告)号：CN102254876A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110053053.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仲野纯章

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供一种半导体装置，具备能够尽可能防止凸点从金属层大大溢出的结构。如下构成：包括：基板(12)；多个电极焊盘(20)，被形成在基板(12)上；以及保护膜(14)，被形成得具有与各电极焊盘(20)对应而开设的贯通孔(16)，覆盖电极焊盘(20)的周缘部及基板(12)；贯通孔(16)的内壁被形成为向贯通孔(16)的外侧倾斜的斜面(22)；在电极焊盘(20)的经由贯通孔(16)从保护膜(14)露出的露出面、及到贯通孔(16)的斜面(22)的中途而形成金属层(24)；凸点(18)被接合在金属层(22)上。

公开(公告)号：CN102254842A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010537792.8

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  郑明达 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  C25D7/12 ,  C25D5/54

CPC classification number: H01L21/288 ,  C25D7/123 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

Abstract: 本发明提供一种形成装置的方法，包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件，以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理，其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后，进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善，且观察到空隙显著的减少。再者，界面变得更加平滑。因此，相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中，本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration，EM)性能提升，因此提升其可靠度。

公开(公告)号：CN101419963B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200810175529.1

申请日：2006-06-06

Applicant: 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

Inventor： 沈更新 ,  林俊宏

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出一种晶片-晶片封装体，包括：承载器、第一晶片、第一粘合膜、第二晶片、第二晶片、第二粘合膜、多个焊料凸块、多个接线以及封装胶体。第一晶片配置于该承载器上，并具有一第一主动表面。第一粘合膜配置于承载器与第一晶片之间。第二晶片具有一朝向第一主动表面的第二主动表面。第二粘合膜配置于第一晶片的第一主动表面与第二晶片的第二主动表面之间，且具有B阶特性。多个焊料凸块位于第二粘合膜中并电性连接于第一晶片的第一主动表面与第二晶片的第二主动表面之间。多个接线电性连接承载器与第一晶片，且第二粘合膜覆盖所述接线的一部分。封装胶体配置于承载器上，以覆盖第一晶片及第二晶片。

公开(公告)号：CN101419963A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175529.1

申请日：2006-06-06

Applicant: 南茂科技股份有限公司 ,  百慕达南茂科技股份有限公司

Inventor： 沈更新 ,  林俊宏

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出一种晶片－晶片封装体，包括：承载器、第一晶片、第一粘合膜、第二晶片、第二晶片、第二粘合膜、多个焊料凸块、多个接线以及封装胶体。第一晶片配置于该承载器上，并具有一第一主动表面。第一粘合膜配置于承载器与第一晶片之间。第二晶片具有一朝向第一主动表面的第二主动表面。第二粘合膜配置于第一晶片的第一主动表面与第二晶片的第二主动表面之间，且具有B阶特性。多个焊料凸块位于第二粘合膜中并电性连接于第一晶片的第一主动表面与第二晶片的第二主动表面之间。多个接线电性连接承载器与第一芯片，且第二粘合膜覆盖所述接线的一部分。封装胶体配置于承载器上，以覆盖第一晶片及第二晶片。