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公开(公告)号：CN102146581B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110027762.7
申请日：2011-01-20
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T428/21
Abstract: 由硅组成的半导体晶片的制造方法，其包括：从坩埚中所包含的熔体以一个拉伸速率拉伸具有直径增加的圆锥形区段及紧接着的直径至少为450mm且长度至少为800mm的圆柱形区段的单晶，在拉伸从圆锥形区段至圆柱形区段的过渡段时的拉伸速率比在拉伸圆柱形区段时的平均拉伸速率高至少1.8倍；以至少20kW的冷却功率冷却生长的单晶；从坩埚的侧壁向生长的单晶导入热量，其中在包围生长的单晶的挡热板与熔体表面之间存在高度至少为70mm的缝隙；及从圆柱形区段切割半导体晶片，其中多个半导体晶片包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的圆形区域。还涉及直径为450mm的由硅组成的半导体晶片，其包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的区域。
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公开(公告)号：CN103237930A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056597.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 提供了制造退火晶片的方法，所述方法能在退火之后避免残留的空洞以及在退火晶片上形成的氧化物膜的TDDB特性的劣化，并且可以扩大硅单晶中能够含有的氮浓度的范围。在制造退火晶片的方法中，控制拉晶条件，使得拉晶速度V与晶体生长的轴方向上的平均温度梯度G之间的比例V/G不小于0.9×(V/G)crit且不大于2.5×(V/G)crit，并且将拉晶炉内的氢气分压设定为不小于3帕且小于40帕。硅单晶的氮浓度大于5×1014个原子/cm3且不大于6×1015个原子/cm3，碳浓度不小于1×1015个原子/cm3且不大于9×1015个原子/cm3，并且热处理在杂质浓度不大于5ppma的稀有气体气氛中进行，或在非氧化气氛中进行。
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公开(公告)号：CN101155950B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200580049409.1
申请日：2005-09-14
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: C30B29/06 , H01L21/322 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/203 , H01L21/3225
Abstract: 按照本发明的硅单晶的培育方法，由于通过使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为40Pa～400Pa，以及将单晶直胴部培育成不存在Grown-in缺陷的无缺陷区域，制造采用CZ法的硅单晶，故可容易截取整个面不存在Grown-in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为与电路的微细化和高密度化对应的衬底，有助于制造成品率的提高，可广泛应用。
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公开(公告)号：CN101302646B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810003542.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101016651B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610172531.4
申请日：2006-12-27
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/477
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 于晶体生长期间在1100至1000℃的冷却速率为4℃/分钟或更高的情况下拉伸掺氮的硅单晶基材，其中氮浓度为1×1014原子/cm3至5×1015原子/cm3，且V/G满足作为硅单晶制造期间的晶体生长条件的预定条件，该基材在非氧化气氛中实施热处理。
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公开(公告)号：CN101133193B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580048849.5
申请日：2005-11-29
Applicant: MEMC电子材料有限公司
Inventor： Z·陆
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/22 , C30B15/305 , Y10S117/917 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明公开了用于控制直拉法晶体生长装置内的晶体生长的方法和系统。在晶体生长装置内施加磁场，并且在从熔体拉制晶锭的同时改变该磁场以控制熔体-固体界面的形状。熔体-固体界面的形状响应于根据晶锭的长度改变的磁场形成为预期的形状。
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公开(公告)号：CN100595351C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200610058336.9
申请日：1998-04-09
Applicant: MEMC电子材料有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度v，(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0；以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延，从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三，沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。
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公开(公告)号：CN101240444A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710193660.6
申请日：2007-11-23
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/30 , C30B30/04 , Y10T117/1016 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括从坩埚中所含的熔体拉伸单晶并由该拉伸的单晶切割半导体晶片，在拉伸所述单晶期间在与所述熔体的边界处将热量导入生长的单晶的中心，并对该熔体施加CUSP磁场，从而使该CUSP磁场的中性面与所述单晶的拉伸轴相交于与所述熔体表面的距离至少为50毫米处。本发明还涉及用于实施该方法的装置。
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公开(公告)号：CN101230482A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710165044.X
申请日：2002-01-22
Applicant: MEMC电子材料有限公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/20 , C30B15/206 , C30B29/06 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及一种用于制备单晶硅锭的方法，以及涉及晶锭或由晶锭产生的晶片。该方法包括控制(i)生长速度v，(ii)平均轴向温度梯度Go，及(iii)晶体从固化到约750℃的冷却速率，以便形成一个晶段，所述晶段具有一个第一轴向上对称的区域和一个第二轴向上对称的区域，上述第一轴向上对称的区域从晶锭的侧表面径向上向内延伸，其中硅自填隙是主要的本征点缺陷，而上述第二轴向上对称的区域从第一轴向上对称的区域径向上向内和朝晶锭的中心轴线延伸。所述方法的特征在于：对v、Go和冷却速率都进行控制，以防止在第一区域内形成附聚的本征点缺陷，同时进一步控制冷却速率，以便在晶片经受另外适合于形成氧化诱生堆垛层错的氧化处理时，限制在由这个晶段所得到的晶片中形成氧化诱生堆垛层错。
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