公开(公告)号：CN108962998A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811169461.6

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。

公开(公告)号：CN106953078A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710187230.7

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  山崎舜平 ,  小国哲平 ,  长多刚 ,  笹川慎也 ,  栗城和贵

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/133 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/465 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 提供一种蓄电装置,具有大的充/放电容量和较低的由于充/放电所导致的电池特性的劣化，并能够进行急速充/放电。一种蓄电装置包括负电极。该负电极包括集电体及设置在集电体上的活性物质层，活性物质层包括从集电体突出的多个突起及设置在该多个突起上的石墨烯。多个突起的轴朝向同一方向。另外，在集电体和多个突起之间也具有共同部。

公开(公告)号：CN104733512A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410800319.2

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

公开(公告)号：CN103137495A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210504910.4

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN102945862A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210332037.5

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  细羽幸 ,  須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN101383290B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200810215715.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

公开(公告)号：CN102148257A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010620965.2

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  石塚章广 ,  古川忍 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施例是一种薄膜晶体管，它包括：栅电极层；栅绝缘层，设置成使得覆盖栅电极层；第一半导体层，与栅电极层完全重叠；第二半导体层，设置在第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比第一半导体层更低的载流子迁移率；杂质半导体层，设置成与第二半导体层接触；侧壁绝缘层，设置成使得覆盖第一半导体层的至少侧壁；以及源和漏电极层，设置成至少与杂质半导体层接触。第二半导体层可由在第一半导体层之上相互分开的部分组成。

公开(公告)号：CN102082189A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010571325.7

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN101728275A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206584.7

申请日：2009-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

公开(公告)号：CN101383290A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810215715.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。