半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1780015B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200510116089.9

    申请日:2005-10-28

    Inventor: 古川忍

    Abstract: 本发明提供了一种方法,在制造具有分子取向的有机半导体中,该方法能够通过摩擦使有机半导体层中的分子定向,从而使有机半导体层中的分子定向而不损坏有机半导体层,并且该方法通过摩擦栅极绝缘膜使有机半导体层中的分子定向,而不损失栅极绝缘膜与有机半导体层之间界面的平坦性。本发明的一个特征是,在制造半导体器件中,通过将具有定向膜的第二衬底提供给具有栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极和有机半导体层的第一衬底使得定向膜与有机半导体层接触,然后加热,在加热之后快速或慢速冷却,从而高度定向有机半导体层中的分子。

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