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公开(公告)号：CN101901870B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010200813.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN1851953A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610077761.2
申请日：2006-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明的目的是提供具有低驱动电压的有机晶体管。本发明的另一个目的是提供能够简单地和容易地制造的有机晶体管，其中能够获得光发射功能。根据有机发光晶体管，含有具有空穴－传输性能的有机化合物和金属氧化物的复合层用作在源极和漏极之中可以注入空穴的电极的一部分，以及含有具有电子－传输性能的有机化合物和碱金属或碱土金属的复合层用作可以注入电子的电极的一部分，其中任一复合层具有与有机半导体层接触的一种结构。
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公开(公告)号：CN1780015B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200510116089.9
申请日：2005-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 古川忍
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0004 , H01L51/0024 , H01L51/0037 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种方法，在制造具有分子取向的有机半导体中，该方法能够通过摩擦使有机半导体层中的分子定向，从而使有机半导体层中的分子定向而不损坏有机半导体层，并且该方法通过摩擦栅极绝缘膜使有机半导体层中的分子定向，而不损失栅极绝缘膜与有机半导体层之间界面的平坦性。本发明的一个特征是，在制造半导体器件中，通过将具有定向膜的第二衬底提供给具有栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极和有机半导体层的第一衬底使得定向膜与有机半导体层接触，然后加热，在加热之后快速或慢速冷却，从而高度定向有机半导体层中的分子。
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公开(公告)号：CN1851953B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610077761.2
申请日：2006-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明的目的是提供具有低驱动电压的有机晶体管。本发明的再另一个目的是提供能够简单地和容易地制造的有机晶体管，其中能够获得光发射功能。根据有机发光晶体管，含有具有空穴-传输性能的有机化合物和金属氧化物的复合层用作在源极和漏极之中可以注入空穴的电极的一部分，以及含有具有电子-传输性能的有机化合物和碱金属或碱土金属的复合层用作可以注入电子的电极的一部分，其中任一复合层具有与有机半导体层接触的一种结构。
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公开(公告)号：CN102148257B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201010620965.2
申请日：2010-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 一个实施例是一种薄膜晶体管，它包括：栅电极层；栅绝缘层，设置成使得覆盖栅电极层；第一半导体层，与栅电极层完全重叠；第二半导体层，设置在第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比第一半导体层更低的载流子迁移率；杂质半导体层，设置成与第二半导体层接触；侧壁绝缘层，设置成使得覆盖第一半导体层的至少侧壁；以及源和漏电极层，设置成至少与杂质半导体层接触。第二半导体层可由在第一半导体层之上相互分开的部分组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101080815B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200580042901.6
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/28 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN101116187A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200580047753.7
申请日：2005-12-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0012 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0059 , H01L51/0097 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的目标是提供一种有机场效应晶体管，其可以减小在与由有机半导体材料形成的半导体层的界面处的能垒(在本发明中称为“有机场效应晶体管”)。将包括有机化合物和金属氧化物的复合层用于该有机场效应晶体管的电极，换言之，该复合层被用于该有机场效晶体管内源电极或漏电极的至少一部分。
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公开(公告)号：CN101901870A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010200813.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN1855570B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610068053.2
申请日：2006-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/0562
Abstract: 本发明的目的是在保持传导载流子的沟道的有机半导体和栅极绝缘体层的界面的平坦性并且不降低成品率的情况下，形成具有结晶性高的有机半导体的有机晶体管。本发明的特征是将有机半导体层形成为叠层结构，至少上层的有机半导体层具有多晶状态或单晶状态，下层的有机半导体层由起到沟道作用的材料来构成。通过提供结晶性高的上层的有机半导体层，可以提高载流子迁移率，并且通过提供下层的有机半导体层，可以补充起因于该上层的有机半导体层的不充分的接触。
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公开(公告)号：CN101080815A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580042901.6
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/28 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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