公开(公告)号：CN108292684A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680067710.3

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  大泽信晴 ,  神长正美 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。

公开(公告)号：CN105810753A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610240258.8

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101625472B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910152136.3

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  江口晋吾 ,  增山光男 ,  片庭正敏 ,  小路博信 ,  中田昌孝

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F2201/503 ,  G02F2202/22

Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。

公开(公告)号：CN102057488B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980120672.3

申请日：2009-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  小路博信 ,  江口晋吾

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/822 ,  H01L25/00 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/60 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。

公开(公告)号：CN103151387A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310060424.2

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑（Sb）元素或磷（P）元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102598283A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050485.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102005449A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010263823.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/49 ,  H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。

公开(公告)号：CN101997003A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010246753.2

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。

公开(公告)号：CN101800250A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010116559.2

申请日：2010-01-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  丸山穗高 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 发明的目的在于提供一种备有使用氧化物半导体层且电特性优良的薄膜晶体管的半导体装置。将含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层用作沟道形成区，并且为了降低其与由电阻值低的金属材料构成的布线层的接触电阻，在源电极层以及漏电极层与上述含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层之间设置源区或漏区。源区或漏区以及像素区使用同一层的不含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101740495A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910246065.3

申请日：2009-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  及川欣聪 ,  片山雅博 ,  中村亚美 ,  门马洋平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。