公开(公告)号：CN101740495A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910246065.3

申请日：2009-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  及川欣聪 ,  片山雅博 ,  中村亚美 ,  门马洋平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。

公开(公告)号：CN101740495B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200910246065.3

申请日：2009-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  及川欣聪 ,  片山雅博 ,  中村亚美 ,  门马洋平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。