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公开(公告)号：CN119156711A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380024902.6
申请日：2023-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H05B33/02 , H10K50/00
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。本发明是组合横向沟道型晶体管和纵向沟道型晶体管的半导体装置。使用横向沟道型晶体管构成p沟道型晶体管且使用纵沟道型晶体管构成n沟道型晶体管，由此实现CMOS型半导体装置。在与横向沟道型晶体管的栅电极重叠的区域的绝缘层中设置开口，在该开口中形成纵向沟道型晶体管。在纵向沟道型晶体管的半导体层中使用氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN119013789A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380027455.X
申请日：2023-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H05B33/14 , H10K50/00
Abstract: 提供一种包括微小的晶体管的半导体装置。提供一种包括晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口，第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。
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公开(公告)号：CN117917186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060522.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , G02B5/20 , G09F9/30 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/28 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：层叠有多个发光层的第一发光器件和层叠有多个发光层的第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第一布线层在俯视时具有格子形状。
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公开(公告)号：CN110518017B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910418591.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN112997235A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980073880.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108963105B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810710610.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及一种发光装置，该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光元件，第一柔性衬底的第一面和第二柔性衬底的第二面相对，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一柔性衬底的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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公开(公告)号：CN108292683A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680066525.2
申请日：2016-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。
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公开(公告)号：CN102037556B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN200980118810.4
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01Q1/24 , H01Q1/38
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/07735 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01Q1/38 , H01Q7/00
Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。
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公开(公告)号：CN102037556A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118810.4
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01Q1/24 , H01Q1/38
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/07735 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01Q1/38 , H01Q7/00
Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。
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公开(公告)号：CN119678672A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058212.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D84/83 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10D30/01 , H10D30/67 , H10D84/03 , H10D84/80 , H05B33/02 , H10K50/10
Abstract: 提供一种具有微型晶体管的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一至第三导电层、绝缘层、第一及第二半导体层。第一导电层上的第二导电层包括与第一导电层重叠的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层与第一半导体层的顶面接触。绝缘层与第二半导体层的顶面接触。第三导电层在开口内与第一及第二半导体层重叠。第二晶体管包括绝缘层、第三半导体层、第四至第六导电层。第四及第五导电层与第三半导体层的不同顶面接触。绝缘层在第四与第五导电层间与第三半导体层的顶面接触。第六导电层与绝缘层的顶面接触。第一及第二半导体层包含不同材料。第二及第三半导体层包含相同材料。
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