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公开(公告)号：CN112805838A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065656.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN119923964A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380067435.5
申请日：2023-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10D84/03 , H10D84/40 , H10D30/01
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括金属氧化物层及第一导电层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第二绝缘层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层及第二绝缘层具有到达第一导电层的开口。金属氧化物层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二绝缘层的顶面及侧面接触。第一绝缘层包含氧。第二绝缘层包含氮。金属氧化物层具有与第二绝缘层接触且与第二晶体管的栅极、源极和漏极中的任一个接触的区域。
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公开(公告)号：CN117476700A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310915208.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层及第二导电层，还包括半导体层、第三导电层及第六绝缘层。半导体层与第一导电层的顶面、第一至第五绝缘层的侧面及第二导电层接触，第六绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第六绝缘层上且隔着第三导电层与半导体层之间的第六绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层具有其氢含量比第二绝缘高多的区域，第五绝缘层具有其氢含量比第四绝缘层高的区域，第三绝缘层包含氧。
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公开(公告)号：CN109891551B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201780066486.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/12 , H10K59/12 , H10K71/00 , H10K50/11 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。
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公开(公告)号：CN119678672A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058212.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D84/83 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10D30/01 , H10D30/67 , H10D84/03 , H10D84/80 , H05B33/02 , H10K50/10
Abstract: 提供一种具有微型晶体管的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一至第三导电层、绝缘层、第一及第二半导体层。第一导电层上的第二导电层包括与第一导电层重叠的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层与第一半导体层的顶面接触。绝缘层与第二半导体层的顶面接触。第三导电层在开口内与第一及第二半导体层重叠。第二晶体管包括绝缘层、第三半导体层、第四至第六导电层。第四及第五导电层与第三半导体层的不同顶面接触。绝缘层在第四与第五导电层间与第三半导体层的顶面接触。第六导电层与绝缘层的顶面接触。第一及第二半导体层包含不同材料。第二及第三半导体层包含相同材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119586349A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380051385.1
申请日：2023-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种兼具低功耗及高性能的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二导电层、第二导电层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第三导电层以及第一半导体层。第二导电层在与第一导电层重叠的区域中具有到达第一绝缘层的第一开口。第一绝缘层至第三绝缘层及第三导电层在与第一开口重叠的区域中具有到达第一导电层的第二开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面及侧面接触。第二晶体管包括第四导电层、第四导电层上的第一绝缘层至第三绝缘层及第三绝缘层上的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN119013783A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380033837.3
申请日：2023-04-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H05B33/02 , H05B33/10 , H10K50/10 , H10K59/00
Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置(10)。半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层(110)，其中，第一晶体管(M2)包括第一半导体层(108)、第二绝缘层(106)及第一至第三导电层，第二晶体管(M1)包括第二半导体层(109)、第三绝缘层(106)及第四至第六导电层，第一绝缘层具有位于第一导电层(112a)上且到达第一导电层的开口，第二导电层(112b)位于第一绝缘层上，第一半导体层与第一导电层的顶面、开口的内壁及第二导电层接触，第三导电层(104)位于第二绝缘层上的与开口的内壁重叠的位置，第三绝缘层位于第四导电层(112b)上，第二半导体层以与第四导电层重叠的方式位于第三绝缘层上，并且，在剖视时，第五导电层(116a)接触于第二半导体层的侧端部的一个顶面，第六导电层(116b)接触于与一个侧端部相对的侧端部的另一个顶面。
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公开(公告)号：CN111052396B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201880056532.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。
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公开(公告)号：CN109891551A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066486.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。
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公开(公告)号：CN119678670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058213.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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