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公开(公告)号：CN119092554A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411208055.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117397045A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280034866.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种微型化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的半导体层、在半导体层上分开配置的第一导电层及第二导电层、以与第一导电层的顶面接触的方式配置的掩模层、以覆盖半导体层、第一导电层、第二导电层及掩模层的方式配置的第一绝缘层以及配置在第一绝缘层上且与半导体层重叠的第三导电层，第一绝缘层与掩模层的顶面及侧面、第一导电层的侧面、第二导电层的顶面及侧面以及半导体层的顶面接触，该半导体装置具有第一导电层和第二导电层相对的端部之间的距离为1μm以下的区域。
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公开(公告)号：CN112805838B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201980065656.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H10K59/121 , H10K50/10
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN116670743A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180087488.4
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。
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公开(公告)号：CN116349017A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072568.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种包括通态电流高的晶体管的半导体装置及其制造方法。提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。本发明是一种包括衬底、衬底上的岛状绝缘层以及衬底及绝缘层上的晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层及一对导电层。一对导电层的一方具有与绝缘层重叠的区域，一对导电层的另一方具有不与绝缘层重叠的区域。一对导电层的另一方的顶面的高度低于一对导电层的一方的顶面的高度。一对导电层分别与半导体层接触。半导体层具有隔着栅极绝缘层与栅电极重叠的区域。
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公开(公告)号：CN112805838A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065656.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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