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公开(公告)号：CN117716408A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052015.5
申请日：2022-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。提供一种能够进行高灵敏度摄像的摄像装置或显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一有机层、第二有机层、公共电极、第一树脂层、第二树脂层及遮光层。第一有机层及第二有机层分别设置在第一像素电极或第二像素电极上。第一树脂层及第二树脂层分别覆盖第一有机层或第二有机层的端部。第一有机层与第二有机层夹着第一树脂层及第二树脂层且其侧面彼此对置。公共电极具有与第一像素电极、第二像素电极、第一树脂层、第二树脂层分别重叠的部分及从平面看时位于第一树脂层与第二树脂层之间的凹状部分。遮光层以嵌入公共电极的凹状部分的方式设置在公共电极上。
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公开(公告)号：CN117616875A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280047767.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/22 , H05B33/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/131 , G09F9/30
Abstract: 本发明的一个方式提供一种摄像功能的检测灵敏度高且显示品质高的显示装置。该显示装置包括：受光器件；包括其端部具有第一锥形状的第一下部电极及具有沿着第一锥形状的形状的第一有机化合物层的第一发光器件；包括其端部具有第二锥形状的第二下部电极及具有沿着第二锥形状的形状的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件和第二发光器件所包括的公共电极；位于第一发光器件与第二发光器件之间以及第二发光器件与受光器件之间的绝缘层；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线位于公共电极上且具有与绝缘层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN117397045A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280034866.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种微型化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的半导体层、在半导体层上分开配置的第一导电层及第二导电层、以与第一导电层的顶面接触的方式配置的掩模层、以覆盖半导体层、第一导电层、第二导电层及掩模层的方式配置的第一绝缘层以及配置在第一绝缘层上且与半导体层重叠的第三导电层，第一绝缘层与掩模层的顶面及侧面、第一导电层的侧面、第二导电层的顶面及侧面以及半导体层的顶面接触，该半导体装置具有第一导电层和第二导电层相对的端部之间的距离为1μm以下的区域。
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公开(公告)号：CN116848954A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280014889.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种功耗低的显示装置。提供一种高清晰的显示装置。提供一种对比度高的显示装置。该显示装置包括第一绝缘层上的多个像素，其中，多个像素各自包括沿着第一绝缘层的开口部设置的第一导电层、第一导电层上的第二绝缘层、第一导电层上及第二绝缘层上的EL层以及EL层上的公共电极，第二绝缘层在第一导电层上并与第一导电层接触，且配置在EL层的下方，相邻像素的第一导电层隔着包含无机材料的第三绝缘层和包含有机材料的第四绝缘层分离，第一导电层的侧面和EL层的侧面具有与第三绝缘层接触的区域，并且，第四绝缘层在第三绝缘层上并与第三绝缘层接触，且配置在公共电极的下方。
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公开(公告)号：CN113994477A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080045160.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , G09G3/3225
Abstract: 本发明的一个方式提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的发光器件。另外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的功能面板。上述发光器件包括绝缘膜、一组结构体、含发光性材料的层、第一电极及第二电极，其中一组结构体包括一个结构体及其他结构体，其他结构体与一个结构体之间具有第一间隔，绝缘膜包括第一面，结构体具有侧壁，侧壁与第一面之间具有第一角度，第一角度大于0度且为90度以下。另外，含发光性材料的层包括第一区域及第二区域，第一区域被夹在第二电极与第一电极之间，第一区域发射光，第二区域被夹在第二电极与侧壁之间，侧壁反射光。此外，第一电极包括第三区域，第三区域被夹在第一区域与第一面之间。
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公开(公告)号：CN111742397B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980014757.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K71/00
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。
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公开(公告)号：CN117546608A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280044224.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供一种使用者能够看到背面景色且能够以高灵敏度进行摄像的显示装置。显示装置在对可见光具有透光性的衬底上包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、与第二发光元件相邻的受光元件、在第二发光元件与受光元件之间设置的第一有机层以及在第一发光元件与第二发光元件之间设置的第二有机层。第一发光元件具有依次层叠有第一像素电极、第一发光层及公共电极的结构。第二发光元件具有依次层叠有第二像素电极、第二发光层及公共电极的结构。受光元件具有依次层叠有第三像素电极、光电转换层及公共电极的结构。第一有机层的可见光的波长中的至少一部分的波长的光的透过率比第二有机层的该波长的光的透过率低。
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公开(公告)号：CN116918454A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280017839.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第一层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一发光层覆盖第一像素电极的侧面，第二发光层覆盖第二像素电极的侧面，第一层位于第一发光层上，从截面看时，第一层的一个端部与第一发光层的端部对齐或大致对齐，第一层的另一个端部位于第一发光层上，第一绝缘层覆盖第一层的顶面以及第一发光层及第二发光层的各侧面，公共电极位于第一绝缘层上。
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公开(公告)号：CN116635760A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180082270.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02B5/20
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。提供一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体以及第一、第二EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体，在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。在第二绝缘体中形成到达第一导电体的第一开口部。在第二绝缘体上及第一开口部的底面上形成牺牲层，在牺牲层上涂敷抗蚀剂。对抗蚀剂进行曝光及显影且在重叠于第一导电体的区域形成到达牺牲层的第二开口部。在第二开口部的底面的区域形成第三开口部，在抗蚀剂上、牺牲层上及第一导电体上形成第一EL层。然后，通过去除抗蚀剂及牺牲层，去除抗蚀剂上及牺牲层上的第一EL层。在第一EL层上及第二绝缘体上形成第二EL层，在第二EL层上依次形成第二导电体及第三绝缘体。
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公开(公告)号：CN113994494A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080045261.9
申请日：2020-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52 , H01L27/32 , G06F3/0354 , G06F3/041 , G06F3/042 , G06F3/147 , G09G3/30 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的功能面板。本发明是一种包括基材及一组像素的功能面板，基材覆盖一组像素并具有透光性。一组像素包括一个像素及另一个像素，一个像素包括发光器件及第一微透镜。发光器件向基材发射光，第一微透镜夹在基材和发光之间，并聚集光。另外，第一微透镜具有第一面及第二面，第二面与第一面相比位于发光器件一侧，第二面具有比第一面小的曲率半径。另一个像素包括光电转换器件及第二微透镜。第二微透镜夹在基材和光电转换之间，并聚集从基材一侧入射的外光。另外，第二微透镜具有第三面及第四面，第三面与第四面相比位于光电转换器件一侧，第四面具有比第三面小的曲率半径。
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