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公开(公告)号：CN116635760A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180082270.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02B5/20
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。提供一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体以及第一、第二EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体，在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。在第二绝缘体中形成到达第一导电体的第一开口部。在第二绝缘体上及第一开口部的底面上形成牺牲层，在牺牲层上涂敷抗蚀剂。对抗蚀剂进行曝光及显影且在重叠于第一导电体的区域形成到达牺牲层的第二开口部。在第二开口部的底面的区域形成第三开口部，在抗蚀剂上、牺牲层上及第一导电体上形成第一EL层。然后，通过去除抗蚀剂及牺牲层，去除抗蚀剂上及牺牲层上的第一EL层。在第一EL层上及第二绝缘体上形成第二EL层，在第二EL层上依次形成第二导电体及第三绝缘体。
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