-
公开(公告)号：CN101625472B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910152136.3
申请日：2009-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F2201/503 , G02F2202/22
Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。
-
公开(公告)号：CN101625472A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910152136.3
申请日：2009-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F2201/503 , G02F2202/22
Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。
-
公开(公告)号：CN114664864A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111461741.6
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在显示装置中，在同一衬底上制造可以高速工作的电路和像素。显示装置的制造方法如下所述。在第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜、第一金属膜及岛状的第一抗蚀剂掩模。接着，在形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层的同时使第一绝缘层的顶面的一部分露出，去除第一抗蚀剂掩模。接着，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜、第二金属膜及岛状的第二抗蚀剂掩模。接着，形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层，去除第二抗蚀剂掩模。然后，去除第一金属层及第二金属层。
-
公开(公告)号：CN107419225B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611206269.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103290371B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310150088.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN103124805A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201280000715.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN107419225A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201611206269.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN103124805B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280000715.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN103290371A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310150088.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.027 seconds)
