公开(公告)号：CN105280705B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510124259.1

申请日：2015-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊鹏 ,  大藤彻 ,  蔡庆威 ,  王志豪 ,  刘继文 ,  汤皓玲 ,  何炯煦 ,  佘绍煌 ,  谢文兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0684 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、第一源极/漏极(S/D)、第二S/D和半导体板单元。衬底在基本水平方向上延伸。第一S/D形成于衬底上。第二S/D设置在第一S/D之上。半导体板单元在基本垂直方向上延伸并且使第一S/D与第二S/D互连。本发明也公开了一种用于制造半导体器件的方法。本发明还涉及包括使源极和漏极互连的半导体板单元的半导体器件。本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、第一源极/漏极(S/D)区域、第二S/D区域、以及半导体板。第一S/D区域设置在衬底上。第二S/D区域设置在第一S/D区域之上。半导体板将第一S/D区域与第二S/D区域互连并包括多个弯转。也公开了一种用于制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107230729A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710178653.2

申请日：2017-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 蓝偟翔 ,  刘致为 ,  刘继文 ,  黄仕贤 ,  翁翊轩 ,  叶泓佑 ,  蔡仲恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体器件包括位于衬底上方沿着第一方向延伸的鳍，和位于鳍上方在第二方向上延伸的栅极结构。栅极结构包括位于鳍上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的栅电极、和位于沿着第二方向延伸的栅电极的相对横向表面上的绝缘栅极侧壁。在与栅电极结构相邻的区域中的鳍中形成源极/漏极区，并且应力源层位于源极/漏极区和半导体衬底之间。应力源层包括含有1019原子cm‑3或更少的掺杂剂的GeSn或SiGeSn，以及鳍的位于栅极结构下方的部分是沟道区。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN107039280A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611264430.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 樊圣亭 ,  陈品翔 ,  刘致为 ,  刘继文

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法。在本发明实施例中，使用一拓扑绝缘体形成通道和源/漏极区两者，其中上述通道具有一第一厚度，使上述拓扑绝缘体具有一半导体材料的性质。并且上述源/漏极区具有一第二厚度，使上述拓扑绝缘体具有一导电材料的性质。本发明可以通过调整半导体装置材料的厚度，进而改变半导体装置材料的导电性质。

公开(公告)号：CN104241361B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310342337.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李东颖 ,  黄玉莲 ,  陈忠贤 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在栅极区中设置在衬底上方的鳍结构。鳍结构包括作为鳍结构的下部的第一半导体材料层、作为鳍结构的中部的半导体氧化物层和作为鳍结构的上部的第二半导体材料层。半导体器件还包括在衬底上方设置在两个相邻鳍结构之间的介电部件。介电部件的顶面位于比半导体氧化物层高距离d的水平面内。半导体器件还包括设置在栅极区中的高k（HK）电介质/金属栅极（MG）叠层，包括覆盖在鳍结构的一部分上方。本发明还提供了利用应变技术的半导体器件。

公开(公告)号：CN106505096A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610595157.2

申请日：2016-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李智圣 ,  黄信杰 ,  刘继文

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底、至少一个有源半导体鳍、至少一个第一伪半导体鳍、以及至少一个第二伪半导体鳍。在衬底上设置有源半导体鳍。在衬底上设置第一伪半导体鳍。在衬底上且在有源半导体鳍和第一伪半导体鳍之间设置第二伪半导体鳍。第一伪半导体鳍的顶面和第二伪半导体鳍的顶面在不同的方向上弯曲。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN106252410A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610116599.4

申请日：2016-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  蔡庆威 ,  刘继文 ,  梁英強

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的实施例描述了包括具有间隙或空隙的栅极间隔件的器件和结构以及形成这种器件和结构的方法。根据一些实施例，该结构包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件、位于衬底上方的接触件以及横向设置在栅极堆叠件与接触件之间的间隔件。间隔件包括第一电介质侧壁部分和第二电介质侧壁部分。空隙设置在第一电介质侧壁部分与第二电介质侧壁部分之间。

公开(公告)号：CN103094362B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210206714.9

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘继文 ,  王昭雄

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/334 ,  H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66181 ,  H01L28/92 ,  H01L29/94 ,  H01L29/945

Abstract: 公开了3D电容器及其制造方法。示例性3D电容器包括衬底，其包括鳍结构，鳍结构包括多个鳍。3D电容器还包括设置在衬底上以及多个鳍的每一个之间的绝缘材料。3D电容器还包括设置在多个鳍的每一个上的介电层。3D电容器还包括设置在鳍结构的第一部分上的第一电极。第一电极直接与鳍结构的表面接触。3D电容器还包括设置在鳍结构的第二部分上的第二电极。第二电极被直接设置在介电层上，并且鳍结构的第一和第二部分是不同的。

公开(公告)号：CN103022101B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210021706.7

申请日：2012-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  吴斯安 ,  王英郎 ,  刘继文

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明公开了一种具有TiAlN阻挡/润湿层的金属栅叠层以及制造该金属栅叠层的方法。在一实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅叠层。该栅叠层包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的功函数层；设置在功函数层上方的多功能润湿/阻挡层，其中，所述多功能润湿/阻挡层是氮化钛铝层；以及导电层设置在多功能润湿/阻挡层上方。

公开(公告)号：CN103094275B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210041603.7

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘继文 ,  王昭雄

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路，可以包括与诸如finFET的其他器件同时形成的MOM电容器。形成在基板上的介电层中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。去除鳍片的相应顶部以在介电层中形成相应的凹槽。第一电极和第二电极以及中间的介电层形成MOM电容器。本发明提供具有MOM电容器的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN103050533B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210293400.7

申请日：2012-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  叶凌彦 ,  施启元 ,  林以唐 ,  张智胜 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种半导体装置，包括：具有成型鳍和规则鳍的鳍式场效晶体管(FinFET)。成型鳍的顶部可以小于、大于、薄于、或短于规则鳍的顶部。成型鳍的底部和规则鳍的底部相同。FinFET可以具有仅一个或多个成型鳍、一个或多个规则鳍、或成型鳍和规则鳍的混合。将一个鳍成型的半导体制造工艺包括：形成一个鳍的光刻开口，可选地掺杂鳍的一部分，以及蚀刻鳍的一部分。本发明还提供了一种用于三维晶体管应用的采用等离子体掺杂和蚀刻的选择性鳍成形工艺。