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公开(公告)号：CN105762087A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410800491.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191
Abstract: 本发明提供了用于将第一衬底附接至第二衬底的方法和装置。在一些实施例中，第一衬底具有位于管芯附接区周围的诸如焊料掩模的保护层，在管芯附接区中，第一衬底附接至第二衬底。遮挡区(例如，第二衬底和保护层之间的区域)是位于第二衬底周围的区域，其中，不形成或去除保护层。调整遮挡区的尺寸，从而使得足够的间隙存在于第二衬底和保护层之间以将底部填充物布置在第一衬底和第二衬底之间，同时减少或防止空隙，并且同时允许遮挡区中的迹线由底部填充物覆盖。
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公开(公告)号：CN103367301A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310076688.7
申请日：2013-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/293 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/13012 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/206 , H01L2924/01047
Abstract: 本发明公开了集成电路器件中的细长凸块，其中一种器件包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘、覆盖金属焊盘边缘部分的钝化层。钝化层具有与金属焊盘重叠的第一开口，第一开口具有在与衬底的主面平行的方向上测量的第一横向尺寸。聚合物层位于钝化层上方并覆盖金属焊盘的边缘部分。聚合物层具有与金属焊盘重叠的第二开口。第二开口具有在该方向上测量的第二横向尺寸。第一横向尺寸比第二横向尺寸大约7μm以上。凸块下金属化层(UBM)包括位于第二开口中的第一部分和覆盖部分聚合物层的第二部分。
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公开(公告)号：CN103024979A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210167022.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B33/0845 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H05B33/0824 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及支持完全模块化工作结超高压UHV发光二极管LED器件的结构。具体地，本发明提供了一种超高压(UHV)发光二极管(LED)器件。根据一个实施例，该器件包括：基板；多个LED结，被设置在基板上方，并且彼此连接；以及控制元件，包括多个开关，多个开关嵌入在基板内，并且连接至多个LED结，用于控制多个LED结两端的电流的传送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102903689A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210020460.1
申请日：2012-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/10145 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , Y10T428/12493 , Y10T428/24479 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 凸块和凸块导线直连(BOT)结构的实施例提供了凸块，该凸块具有用于填充回流焊料的凹进区域。凹进区域位于回流焊料最可能突出的凸块区域中。凹进区域降低凸块与迹线短路的风险。因此，可以提高成品率。本发明还提供了一种新凸块结构。
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公开(公告)号：CN220753440U
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202322124986.0
申请日：2023-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/94
Abstract: 一种电容装置、以及半导体装置，电容装置包含半导体基材与凹槽在半导体基材中。绝缘结构设在凹槽中。电容装置也包含半导体柱从半导体基材凸伸，且绝缘结构围绕半导体柱。单晶半导体区设在半导体柱上，且绝缘结构围绕半导体柱以形成电容装置的底板。电容装置包含电容介电层设在底板上以及顶板设在电容介电层上。
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公开(公告)号：CN221440846U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322497787.4
申请日：2023-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种沉积工具包含磁体组件、单个阴极以及用于使支撑半导体衬底的底座偏压的电源电路。在沉积惰性金属材料的沉积操作期间，沉积工具可调变自包含具有不同磁场强度范围的螺旋形频带的磁体组件发出的电磁场。沉积工具可具有相对于没有磁体组件、单个阴极以及电源电路的物理气相沉积工具增加的产出量。惰性金属材料可具有相对于不使用磁体组件、单个阴极以及电源电路的沉积工具沉积的惰性金属材料的晶粒大小更大的晶粒大小。
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公开(公告)号：CN221960970U
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202323249302.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 鲁珺地 , 于宗源 , 林彦良 , 张智浩 , 刘家宏 , 黄子松 , 林柏均 , 陈世伟 , 刘重希 , 倪培荣 , 黄信维 , 蔡政刚 , 刘泰佑 , 施伯昌 , 郭鸿毅 , 蔡豪益 , 庄钧智 , 黄榆婷 , 宋瑞文 , 王榆景 , 张根育 , 曾明鸿 , 江宗宪 , 刘醇鸿
IPC: H01L23/538 , H01L23/488 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50 , H10B12/00
Abstract: 本实用新型提供一种封装，半导体晶粒以及前侧与背侧重布线结构。背侧重布线结构包括第一重布线层和背侧连接件，自第一重布线层的远侧延伸，且包括具有朝向远离第一重布线层的方向缩减的宽度的渐缩部分。渐缩部分包括在端部的接触面。封装可藉由优化背侧重布线结构的厚度提供可控的封装翘曲、可消除对于激光钻孔的需求并因此消除接着性问题产生的不良影响、可消除在背侧层形成空腔的需求且因此减少被环境污染的风险、还减少导致背侧重布线结构中的裂缝的应力。
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公开(公告)号：CN221977912U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202420316927.5
申请日：2024-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/538
Abstract: 本实用新型提供一种封装结构包括第一封装。第一封装具有有源区以及围绕有源区的周边区。第一封装包括第一重布线结构、第二重布线结构、管芯、包封体以及密封环结构。第二重布线结构配置于第一重布线结构上。管芯配置于有源区中，且位于第一重布线结构与第二重布线结构之间。包封体横向包封管芯。密封环结构配置于周边区中。密封环结构的第一部分嵌入第一重布线结构中，且密封环结构的第二部分嵌入第二重布线结构中。
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