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公开(公告)号：CN102237301B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201010569544.1
申请日：2010-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L25/00
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/6834 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/06182 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/81805 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供具有激光蚀刻通孔的半导体装置及其制造方法。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含提供一具有一前侧及一后侧的基材，及提供一膜层于此基材的前侧上，此膜层具有与此基材不同的组成。此方法还包含控制激光功率及激光脉冲次数，以激光蚀刻出一贯穿此膜层及此基材至少一部分前侧的开口，以导电材料填入此开口中以形成通孔，移除此基材的一部分的背端以暴露出此通孔，及透过此通孔电性连接一第一元件及一第二元件。此外，本发明亦提供由上述方法所制造的半导体装置。本发明能够提供形成高深宽比通孔。
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公开(公告)号：CN103024979A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210167022.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B33/0845 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H05B33/0824 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及支持完全模块化工作结超高压UHV发光二极管LED器件的结构。具体地，本发明提供了一种超高压(UHV)发光二极管(LED)器件。根据一个实施例，该器件包括：基板；多个LED结，被设置在基板上方，并且彼此连接；以及控制元件，包括多个开关，多个开关嵌入在基板内，并且连接至多个LED结，用于控制多个LED结两端的电流的传送。
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公开(公告)号：CN102237301A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010569544.1
申请日：2010-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L25/00
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/6834 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/06182 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/81805 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供具有激光蚀刻通孔的半导体装置及其制造方法。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含提供一具有一前侧及一后侧的基材，及提供一膜层于此基材的前侧上，此膜层具有与此基材不同的组成。此方法还包含控制激光功率及激光脉冲次数，以激光蚀刻出一贯穿此膜层及此基材至少一部分前侧的开口，以导电材料填入此开口中以形成通孔，移除此基材的一部分的背端以暴露出此通孔，及透过此通孔电性连接一第一元件及一第二元件。此外，本发明亦提供由上述方法所制造的半导体装置。本发明能够提供形成高深宽比通孔。
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