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公开(公告)号：CN103500784A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , C30B25/02 , H01L33/0062
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN102593274A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号：CN102427105A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110352193.3
申请日：2011-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，分布布拉格反射层由两种不同材料组成，在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源，并在两种材料的界面处采用Delta掺杂。本发明因为分布布拉格反射层具有调制掺杂结构，可以有效降低发光二极管的正向工作电压，减少光吸收，提高发光二极管的效率。
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公开(公告)号：CN102299223A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110277489.3
申请日：2011-09-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明公开一种发光二极管的外延结构及其制造方法，在GaAs衬底层的上面自下而上依次为布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，所述的有源层是由n组量子阱和量子垒交替组成，其中100≥n≥2，且同一个量子垒中的势垒高度为渐变式分布或不同量子垒之间的势垒高度为渐变式分布；其制造方法包括以下步骤：选择GaAs为衬底层，在GaAs衬底层上依次生长布拉格反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、电流扩展层，其中有源层是由n组量子阱和量子垒交替生长而成，量子垒用（AlxGa1-x）yIn1-yP三五族化合物构成，其中1≥x≥0.5，本发明增强了量子垒对电子的限制作用，提高量子阱里电子和空穴的复合率，从而提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN102280548A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110260363.5
申请日：2011-09-05
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明涉及发光二极管领域。发光二极管结构是：衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上。其中，所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成，每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成，每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。制造如上述发光二极管结构的方法，包括步骤：A，构建一衬底；B，在衬底上表面形成反射层；C，在反射层上分别外延出N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层；D，在衬底底面和外延层的上表面分别形成第一电极和第二电极；E，进行切割。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119653939A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411831997.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/815 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法，其中LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和缓冲层结构；LED芯片的制备与分离方法，通过芯片工艺，将LED外延片刻蚀形成通过切割道互间隔排布的若干个LED芯片，切割道露出部分第一牺牲层，再采用腐蚀溶液通过显露的切割道将第一牺牲层溶解掉，可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离，使蓝宝石衬底可重复回收利用，还可节省研磨减薄步骤，避免现有研磨工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加，良率较低，及避免激光切割LED芯粒时侧壁产生物理损伤，影响光的输出效率等问题，进而提高LED芯片可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN119050235A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411370422.8
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法，其中，高可靠性的通孔型垂直LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层；其中，外延叠层朝向导电基板的一侧设有显露有源区部分表面的沟道，绝缘结构设置于外延叠层朝向导电基板的一侧，并覆盖沟道、集成金属层及外延叠层的裸露面，通过绝缘结构对沟道进行绝缘，可避免LED芯片在形成切割道时侧壁直接裸露PN结被短路造成侧壁漏电的风险，进而提高LED芯片可靠性和稳定性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN112768578B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110176774.X
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势阱层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势阱层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于阱层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强阱层的电子限制，从而提高其内量子效率。
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公开(公告)号：CN118173676A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410358325.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片在导电基板一侧设置堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的N个发光单元，各发光单元皆包括依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，第一型半导体层与所述第二型半导体层的掺杂类型相反，且两个相邻的发光单元之间的相同掺杂类型的半导体层键合电连接，并结合第一型外接电极和第二型外接电极的设置形成并联电连接，使多个发光单元叠层的LED芯片的整体面积与单个发光单元LED芯片的面积的差异相差较小，可减小LED芯片的尺寸，有利于LED芯片的集成封装，还可以在大功率工作环境中使用。
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公开(公告)号：CN117542944A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311706858.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层；其中，防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射结构与通孔反射结构形成合金或渗透到通孔反射结构的表面，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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