公开(公告)号：CN100587965C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810157085.9

申请日：2008-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 高立刚 ,  国洪轩 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La2O3)x(SiO2)1-x，其中x的取值范围为0.4≤x≤0.6，其制备方法是启动KrF准分子激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(2)将激光束聚焦在LSO陶瓷靶材(5)上，用脉冲激光剥离LSO陶瓷靶材(5)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得硅酸镧薄膜，其物理厚度为5nm的非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为16.9，等效氧化物厚度为1.11nm，漏电流为21.7A/cm2，没有界面层产生，本发明的硅酸镧薄膜应用于金属-氧化物-半导体场效应管的栅电介质材料。

公开(公告)号：CN101369629A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810155732.2

申请日：2008-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 国洪轩 ,  闫小兵 ,  高立刚 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02 ,  G11C13/02 ,  C23C14/28 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为AgxGeyO1－x－y，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ag－Ge－O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag2O和GeO2粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag－Ge－O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。

公开(公告)号：CN101222019A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710025371.5

申请日：2007-07-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  国洪轩 ,  尹奎波 ,  陈亮 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/28 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x的制备方法，该方法包括：使用合适配比的AgI、AgNO3、(NH4)2HPO4熔化后制成玻璃靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备非晶固体电解质薄膜。

公开(公告)号：CN101041894A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710021627.5

申请日：2007-04-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  刘治国

IPC: C23C18/00 ,  C09K3/18 ,  A61L9/00 ,  C04B41/50 ,  C04B41/85 ,  C03C17/23

Abstract: 一种自清洁氧化物薄膜是由不同价态金属离子X掺杂的SrTiO3，用公式X:SrTiO3表示，其中X为Cr3+、Zn2+、Al3+、Ga3+、Ge3+、In3+、W6+、Ta5+、Nb5+或V5+中的一种；其掺杂浓度为0.01－10mol％；其制法是按X的掺杂浓度称量原材料X的有机盐或硝酸盐、(CH3COO)2Sr.0.5H2O和Ti(OC2H5)4，将上述原料分别加到甲醇中，然后分别加入醋酸，加热搅拌至透明止，然后将含Sr2+、Ti4+和X的三种甲醇溶液进行混合，搅拌至透明，用甲醇调节浓度，用醋酸或氨水调节pH，用甩胶设备将上述混合溶液沉积在衬底上，置于管式炉中退火得到第一层薄膜，经多次沉积直至薄膜厚达10纳米－1微米，再将膜置于管式炉中退火，使薄膜完全结晶。该薄膜可应用于建材表面、镜面、金属及陶瓷器表面的涂层及室内局部空气净化。

公开(公告)号：CN1312738C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200410014067.7

申请日：2004-02-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  邵起越 ,  程进波 ,  吴迪 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇(Y2O3)，氧化镧(La2O3)，和镧系的其他氧化物如Pr2O3、CeO2、Gd2O3、Er2O3。

公开(公告)号：CN1889285A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610088390.8

申请日：2006-07-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  梁雪飞 ,  陈涌

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/22 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种基于电阻开关效应的非挥发相变记忆元件的结构设计和制备方法，将固体电解质RbAg4I5膜(3)夹在反应电极(4)和非反应电极(1)之间构筑成一个微型三明治结构，这就是一个记忆单元。该记忆单元连同衬底(7)和绝缘层(2)共有5层。在衬底(7)上沉积一层非反应电极(1)，在非反应电极(1)上沉积一层绝缘层(2)，在其中部刻蚀一个微孔(5)，露出非反应电极(1)，绝缘层(2)上再沉积一层RbAg4I5薄膜(3)，其上再沉积一层反应电极(4)，在非反应电极(1)和反应电极(4)上分别接出引线(6)。该记忆元件具有体积小、结构简单、非挥发、可快速读写、工作电压低、低能耗、无运动部件、非破坏性读出等优点。

公开(公告)号：CN1208842C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN03113462.9

申请日：2003-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱俊 ,  刘治国

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6%，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可能满足功耗要求不高的半导体中场效应晶体管的实际应用要求。

公开(公告)号：CN1603279A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410064900.9

申请日：2004-10-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁国亮 ,  刘俊明 ,  王一平 ,  刘治国

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/32 ,  C04B35/36 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种磁电耦合陶瓷材料，化学式为Bi1－xAxFe1－yByO3，其中：0≤x＜0.5，0≤y＜0.2且x、y不能同时为0；A为三价稀土金属离子La、Nd、Td、Sm、Pr中的一种或两种；B为一种过渡金属离子Mn或Co；该材料具有如下物理性能：击穿电场大于150kV/cm，其电极化－电场回线的剩余极化在3～30μC/cm2之间。同时本发明还公开了该材料的制备方法，发明点在于：在烧结时，以30°度/秒以上的升温速度升温，在850℃至940℃之间烧结，然后快速降温。

公开(公告)号：CN1399308A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02113086.8

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  毕朝霞 ,  王栩生 ,  修向前 ,  顾书林 ,  沈波 ,  施毅 ,  刘治国 ,  郑有炓 ,  江若琏 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。

公开(公告)号：CN115425145A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210997279.X

申请日：2022-08-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 于天鹏 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层；器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜层的厚度为1‑200nm；具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质层，厚度为1‑100nm；隧穿层为绝缘体，厚度范围为1‑20nm；并五苯厚度范围为1‑100nm；源漏电极为导体，厚度范围为50‑200nm；栅电极为导体。