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公开(公告)号：CN1598493A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009427.4
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明提供了一种高分辨率磁编码器磁鼓的制备方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓材料。将磁粉、粘结剂、稀释剂、固化剂、分散剂按比例混合制成磁浆，然后涂布于磁鼓基体上。将涂布后的磁鼓基体旋转固化。在磁浆处于半固化状态时，用高平整度的轴承挤压成形，达到0.15～0.4mm厚度。完全固化后，由高分辨率的光学编码器脉冲分频旋转充磁，可以对磁鼓写入128、256对极，倍频后可得到更高的分辨率。本发明的优点在于：工艺简单，操作性好，成品率高，易于批量生产。磁鼓充磁后，采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场。
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公开(公告)号：CN114420836B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210009801.9
申请日：2022-01-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Ru插层调节的超高各向异性磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感技术领域。薄膜材料为Ta/Ru/NiO/NiFe/NiO/Ru/Ta结构，利用强吸氧性Ru插层调节NiFe层中Fe 3d轨道的空穴分布，增加NiFe层中s电子向d态空穴的跃迁几率，使得薄膜的各向异性磁电阻比率显著增加。制备方法是：在经过超声清洗和表面氩离子轰击处理的硅Si基片上，沉积钽Ta/钌Ru/氧化镍NiO/坡莫合金NiFe/氧化镍NiO/钌Ru/钽Ta多层膜结构。沉积后进行真空磁场热处理，获得具有高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过调控轨道自由度来提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有更高的各向异性磁电阻比率，且具有低的饱和场和较小的磁滞，能够更好地满足磁电阻传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN114420836A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210009801.9
申请日：2022-01-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Ru插层调节的超高各向异性磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感技术领域。薄膜材料为Ta/Ru/NiO/NiFe/NiO/Ru/Ta结构，利用强吸氧性Ru插层调节NiFe层中Fe 3d轨道的空穴分布，增加NiFe层中s电子向d态空穴的跃迁几率，使得薄膜的各向异性磁电阻比率显著增加。制备方法是：在经过超声清洗和表面氩离子轰击处理的硅Si基片上，沉积钽Ta/钌Ru/氧化镍NiO/坡莫合金NiFe/氧化镍NiO/钌Ru/钽Ta多层膜结构。沉积后进行真空磁场热处理，获得具有高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过调控轨道自由度来提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有更高的各向异性磁电阻比率，且具有低的饱和场和较小的磁滞，能够更好地满足磁电阻传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN107887103B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201711169287.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种磁电阻薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构为：基片/Ta和半金属元素的合金化合物/（1.0～200.0nm）多层膜和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在NiFe(NiCo)或者MO/NiFe(NiCo)/MO两边沉积（1.0～20.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的平均自由程，进而达到提高NiFe和NiCo薄膜的平面霍尔效应（PHE）灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN110797454A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911073937.0
申请日：2019-11-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109972104B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910164965.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种弥补Co靶材质量缺陷的方法，属于磁性材料技术领域，包括以下步骤：首先选用市面上常见的高透磁率的Co靶材，并对Co靶材表面进行清洗；其次将清洗后的Co靶材放入磁控溅射仪中溅射，溅射过程中在磁控溅射仪内的基片位置平行于膜面处施加均匀磁场，最后磁控溅射沉积制得高镀膜质量、高剩磁比的5‑10nm厚的Co薄膜。本发明通过在Co薄膜沉积过程中在基片位置平行于膜面处施加600～1000Oe的均匀磁场；在磁控溅射沉积过程中Co原子被前述平行施加的均匀磁场磁化，从而使得沉积后的Co薄膜具有较好的磁性，操作简单，极大地降低了生产成本，利于规模化连续化的工业生产。
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公开(公告)号：CN108831741A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810620121.4
申请日：2018-06-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上，沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜，沉积完毕后进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境，引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布，有效地调节Fe的能带结构，大大增加dz2轨道上的电子占据，进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态，使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中，通入氮气，就能够直接调节Fe-O的轨道杂化强度，并增加界面磁各向异性能，不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有制备简单、控制方便的特点；具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN104674161B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510119999.6
申请日：2015-03-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 提高Co/Pt薄膜材料的自旋-轨道耦合强度的方法，属于磁性材料领域。所述方法是：对钛镍TiNi记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNi记忆合金基片上沉积[钴Co/铂Pt]n多层膜；沉积完毕后，在真空环境下对其进行两步热处理即低温处理和高温处理，引发基片的形状记忆效应，同时诱导晶化的Co/Pt多层膜在TiNi基片上的外延生长。最后，冷却至室温即可。此发明只需要采用廉价的形状记忆合金作为基片，在自旋电子学薄膜材料上产生均匀、可控的大弹性应力，可以有效地增加整个薄膜的自旋-轨道耦合强度；此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有效率高、成本低、制备简单等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN106128753A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610525029.0
申请日：2016-07-05
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01F41/18 , H01F10/32 , H01F41/302
Abstract: 一种制备FePt赝自旋阀材料的方法，属于磁性材料或自旋电子学材料领域。本发明对铜锌铝Cu‑Zn‑Al记忆合金基片进行预拉伸处理、表面酸化去氧化皮处理以及表面抛光处理；然后，在上述Cu‑Zn‑Al基片上沉积薄膜材料，结构为：铁铂FePt/钌Ru/铁铂FePt/钽Ta；沉积完毕后，在真空环境下对其进行热处理，以诱导两层FePt层的原子发生有序化排列，形成硬磁性能。最后，对上述薄膜体系进行光刻处理，以获得纳米柱状阵列结构，引出电极。通过控制温度，控制薄膜体系的应力状态，进而实现高电阻状态和低电阻状态的切换，即赝自旋阀功能。本发明具有制备简单、控制方便的特点；不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN104674161A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510119999.6
申请日：2015-03-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 提高Co/Pt薄膜材料的自旋-轨道耦合强度的方法，属于磁性材料领域。所述方法是：对钛镍TiNi记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNi记忆合金基片上沉积[钴Co/铂Pt]n多层膜；沉积完毕后，在真空环境下对其进行两步热处理即低温处理和高温处理，引发基片的形状记忆效应，同时诱导晶化的Co/Pt多层膜在TiNi基片上的外延生长。最后，冷却至室温即可。此发明只需要采用廉价的形状记忆合金作为基片，在自旋电子学薄膜材料上产生均匀、可控的大弹性应力，可以有效地增加整个薄膜的自旋-轨道耦合强度；此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有效率高、成本低、制备简单等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
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