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公开(公告)号：CN1281925C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510011202.7
申请日：2005-01-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。
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公开(公告)号：CN1674147A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510011392.2
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层NOL插入(Pt/Co)n与FeMn或其它反铁磁Mn合金之间。Mn原子将与NOL中的Co的氧化物或Fe的氧化物反应形成MnO，从而使Mn原子陷在NOL中，阻止它的向(Pt/Co)n中的进一步扩散。这样就保证了多层膜具有良好的垂直磁各向异性及垂直交换耦合场。本发明具有制备方便、成本低、交换耦合场提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN101241009B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710304535.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提出了基于变形圆分布及周期性假设的磁电子罗盘误差补偿方法。要提高磁电子罗盘的测量精度，必须补偿周围铁磁物质等因素所引起的测量误差。目前，国内外流行的补偿方法是基于环境干扰磁场的影响导致磁场强度的水平投影分量的分布由正圆形变为椭圆形的假设的。但因为影响因素较多，情况复杂，实际上无法保证磁场强度的水平投影分量的分布为严格的椭圆形。针对这一情况，本发明提出了基于变形圆分布和周期性假设的误差补偿算法，以补偿周围铁磁物质等因素所引起的测量误差，实现地磁方位角的高精度测量。
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公开(公告)号：CN1635590A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN1584504A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410009165.1
申请日：2004-06-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用金属薄膜磁电阻探头的磁栅尺位移传感器。其特征在于：磁栅尺位移传感器由敏感元件金属薄膜磁电阻探头(13)和被充磁的磁栅尺带(12)构成，金属薄膜磁电阻探头(13)中的金属薄膜磁电阻(10)与磁栅尺带(12)之间的距离为10微米～10毫米；金属薄膜磁电阻探头(13)由印刷电路板(PCB)衬板(1)、基片层(2)、缓冲层(3)、在基片层(2)上溅射生成磁性金属合金薄膜层(4)、金属导电薄膜层(5)、保护层(6)、金丝压焊引线(7)、镀金电极(8)、挠性电路板引线(9)组成。其优点在于灵敏度高、温度稳定性好，信号处理电路简单。通过合理设计磁阻条的排列与分布达到降低和消除信号输出中的高次谐波仅保留基波，提高位移测量的细分精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241009A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710304535.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提出了基于变形圆分布及周期性假设的磁电子罗盘误差补偿方法。要提高磁电子罗盘的测量精度，必须补偿周围铁磁物质等因素所引起的测量误差。目前，国内外流行的补偿方法是基于环境干扰磁场的影响导致磁场强度的水平投影分量的分布由正圆形变为椭圆形的假设的。但因为影响因素较多，情况复杂，实际上无法保证磁场强度的水平投影分量的分布为严格的椭圆形。针对这一情况，本发明提出了基于变形圆分布和周期性假设的误差补偿算法，以补偿周围铁磁物质等因素所引起的测量误差，实现地磁方位角的高精度测量。
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公开(公告)号：CN100352076C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410009805.9
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe100-x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1%，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN1297801C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410009427.4
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高分辨率磁编码器磁鼓的制备方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓材料。将磁粉、粘结剂、稀释剂、固化剂、分散剂按比例混合制成磁浆，然后涂布于磁鼓基体上。将涂布后的磁鼓基体旋转固化。在磁浆处于半固化状态时，用高平整度的轴承挤压成形，达到0.15～0.4mm厚度。完全固化后，由高分辨率的光学编码器脉冲分频旋转充磁，可以对磁鼓写入128、256对极，倍频后可得到更高的分辨率。本发明的优点在于：工艺简单，操作性好，成品率高，易于批量生产。磁鼓充磁后，采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场。
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公开(公告)号：CN1276239C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410009165.1
申请日：2004-06-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用金属薄膜磁电阻探头的磁栅尺位移传感器。其特征在于：磁栅尺位移传感器由敏感元件金属薄膜磁电阻探头(13)和被充磁的磁栅尺带(12)构成，金属薄膜磁电阻探头(13)中的金属薄膜磁电阻(10)与磁栅尺带(12)之间的距离为10微米～10毫米；金属薄膜磁电阻探头(13)由印刷电路板(PCB)衬板(1)、基片层(2)、缓冲层(3)、在基片层(2)上溅射生成磁性金属合金薄膜层(4)、金属导电薄膜层(5)、保护层(6)、金丝压焊引线(7)、镀金电极(8)、挠性电路板引线(9)组成。其优点在于灵敏度高、温度稳定性好，信号处理电路简单。通过合理设计磁阻条的排列与分布达到降低和消除信号输出中的高次谐波仅保留基波，提高位移测量的细分精度。
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公开(公告)号：CN1632965A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410009805.9
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe1－x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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