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公开(公告)号：CN118744314A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410771337.6
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于控锻控冷工艺的商用车轮边半轴的生产方法包括以下步骤：棒材下料→棒材两端中频感应炉加热至950～1050℃，保温1～2min使其完全奥氏体化→半轴两端模锻后终锻温度控制在890～920℃，随后采用先快冷后空冷的方式进行控冷→切削加工→搓齿→中频表面感应淬火→打跳动、校直、精车→抛丸清理→探伤→强力喷丸→检验入库。本发明中只对所述棒材两端端头进行模锻形成花键坯，随后进行控制冷却。杆部仍为所述棒材原始珠光体+铁素体组织，为实现花键端与杆部组织性能匹配，控锻控冷工艺是本发明的关键内容。控锻控冷工艺获得的显微组织珠光体+铁素体占比93～96％，抗拉强度Rm为890～950MPa，屈服强度Rp0.2为600～650MPa，断后伸长率在12～18％之间，室温冲击功AKU为40～50J，维氏硬度在280～300HV之间。
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公开(公告)号：CN101373813A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810223081.6
申请日：2008-09-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法，属于磁性薄膜领域。其特征是用一定厚度的(Ni81Fe19)64Cr36为缓冲层，用以诱导强的(111)Ni81Fe19衍射峰，同时在Ni81Fe19表面沉积Al2O3纳米氧化层，利用纳米氧化层的“镜面散射”作用提高Ni81Fe19薄膜的AMR值。采用磁控溅射方法制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。薄膜结构为：(Ni81Fe19)64Cr36(1～13nm)/Ni81Fe19(10～200nm)/Al2O3(1～3nm)/Ta(5～9nm)薄膜，溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN101158029A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710177395.2
申请日：2007-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，涉及自旋阀巨磁电阻多层膜的制备。本方法是通过磁控溅射，在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积Ta(50～60)、NiFe(20～30)、Ir(Pt)Mn(60～70)、CoFe(35～45)、NOL、CoFe(20～30)、Cu(25～30)、CoFe(45～55)、NOL、Ta(30～40)。本发明通过将Pt片放置在IrMn靶上制备反铁磁材料Ir(Pt)Mn，采用纳米氧化层插入以Ir(Pt)Mn为反铁磁层的自旋阀巨磁电阻多层膜中，其交换耦合场Hex比无纳米氧化层的自旋阀的交换耦合场Hex最大可提高40％，MR最大可提高60％，热稳定性能可提高至260－320℃。
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公开(公告)号：CN1635590A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN1584504A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410009165.1
申请日：2004-06-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用金属薄膜磁电阻探头的磁栅尺位移传感器。其特征在于：磁栅尺位移传感器由敏感元件金属薄膜磁电阻探头(13)和被充磁的磁栅尺带(12)构成，金属薄膜磁电阻探头(13)中的金属薄膜磁电阻(10)与磁栅尺带(12)之间的距离为10微米～10毫米；金属薄膜磁电阻探头(13)由印刷电路板(PCB)衬板(1)、基片层(2)、缓冲层(3)、在基片层(2)上溅射生成磁性金属合金薄膜层(4)、金属导电薄膜层(5)、保护层(6)、金丝压焊引线(7)、镀金电极(8)、挠性电路板引线(9)组成。其优点在于灵敏度高、温度稳定性好，信号处理电路简单。通过合理设计磁阻条的排列与分布达到降低和消除信号输出中的高次谐波仅保留基波，提高位移测量的细分精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1151314C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02103673.X
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置，涉及薄膜的制备方法及装置，特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜，控制样品制备室的本底真空为2×10-7～8×10-7Pa，溅射气压为1×10-4～3×10-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜，采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2)，基片(3)被贴在基座(2)下面，并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜，而且制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN110797454B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911073937.0
申请日：2019-11-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
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公开(公告)号：CN102931342A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210421031.5
申请日：2012-10-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件。一种霍尔自旋天平材料，所述材料包括多层薄膜，由两个具有垂直磁各向异性的磁性层，中间被非磁性绝缘层隔离所组成；其中一磁性层被反铁磁层钉扎，另外一磁性层与一功能层相连；材料制成Hallbar的形状。此发明保留了MTJ的优点，以低成本实现NVM，并具有与晶体管媲美的状态变化比率，能够实现3D存储阵列，且具有复杂逻辑处理的能力。解决了NVM现存的主要问题。
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公开(公告)号：CN102024904A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010500518.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明设计内容为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。
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公开(公告)号：CN101710525A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910243307.3
申请日：2009-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。该方法主要优点是材料结构设计简单，磁场灵敏度提高明显，基本上能够与某些隧道磁电阻(TMR)薄膜材料和相应元件磁场灵敏度相当；同时克服了以往材料体系工艺中当NiFe层较薄时在一定温度下处理材料或器件带来的薄膜界面处固相反应所导致的“磁死层”，因此，该材料可以用于制作高灵敏磁电阻传感元器件。
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