一种铁素体/珠光体显微组织定量化分析方法

    公开(公告)号:CN112268762A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011011098.2

    申请日:2020-09-23

    Abstract: 一种铁素体/珠光体显微组织定量化分析方法。1)截取统一尺寸的金相样品,经镶嵌、磨光、抛光后得到金相磨面,然后采用3%的硝酸酒精溶液侵蚀;2)将侵蚀后的样品,在电解液(85%酒精、10%高氯酸、5%甘油)中18V恒压电解15秒钟左右;3)将电解后的样品进行EBSD表征,得到样品相比例及>15°晶界分布图;4)将得到的图片数字化定量分析,得到样品中珠光体、铁素体的体积分数以及得出铁素体的晶粒尺寸分布和平均晶粒大小。本发明实现了精确测得铁素体、珠光体的体积分数及铁素体的晶粒尺寸分布和平均晶粒大小,为准确识别铁素体/珠光体双相钢的微观组织定量分析提供了一种新方法。实现铁素体/珠光体比例和晶粒统计的数字化结果,为新材料研发提供组织分析数字化方法。

    一种拍摄磁性钢中纳米Cu析出相高分辨图像的方法

    公开(公告)号:CN114527150B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210090216.6

    申请日:2022-01-25

    Inventor: 韩刚 尚成嘉

    Abstract: 一种拍摄磁性钢中纳米Cu析出相高分辨图像的方法,属于钢铁材料显微晶体结构测定领域。拍摄磁性钢材的高分辨图像会遇到很多难题。首先,满足拍摄高分辨图像区域的厚度极薄,很难借助菊池线倾转样品;其次,倾转晶带轴时,样品薄区有时发生瞬间“跳动”现象,造成待观测区域丢失;除此之外,当待拍摄区域处于特定晶带轴时,样品自身的强磁性通常造成高分辨图像的像散无法被消除。本发明提出了拍摄具有强磁性钢材基体中纳米Cu析出相高清高分辨图像的具体方法。利用该方法获得了大量能够用于晶体结构解析的Cu析出相高分辨图像。这是具有强磁性样品在拍摄其高分辨图像领域的重大突破。

    一种用于确定电阻炉中钢块内部实际温度的测试方法

    公开(公告)号:CN104713657A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201510053555.7

    申请日:2015-02-02

    Abstract: 本发明属于金属材料的热处理领域,提供一种用于精确测定电阻炉中加热钢块内部实际温度的测试方法。在被测钢块表面用钻头打出测温小孔,用室温下可变形高温受热后硬结并具有一定强度的粘土填满测温小孔,将具有一定强度的K型热电偶插入到粘土中,热电偶的另一端连接到测温仪上,通过测温仪实时记录温度数据,从而实现精确测量钢块内部实际温度的目的,通过该测量方法,可以有效克服传统测量方法中测量温度为热电偶附近空气的温度,而电阻炉中钢块的温度变化要滞后于热电偶附近温度的变化,这就导致测量温度与钢块内部实际温度不一致的现象,影响热处理工艺的最终效果。

    一种拍摄磁性钢中纳米Cu析出相高分辨图像的方法

    公开(公告)号:CN114527150A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210090216.6

    申请日:2022-01-25

    Inventor: 韩刚 尚成嘉

    Abstract: 一种拍摄磁性钢中纳米Cu析出相高分辨图像的方法,属于钢铁材料显微晶体结构测定领域。拍摄磁性钢材的高分辨图像会遇到很多难题。首先,满足拍摄高分辨图像区域的厚度极薄,很难借助菊池线倾转样品;其次,倾转晶带轴时,样品薄区有时发生瞬间“跳动”现象,造成待观测区域丢失;除此之外,当待拍摄区域处于特定晶带轴时,样品自身的强磁性通常造成高分辨图像的像散无法被消除。本发明提出了拍摄具有强磁性钢材基体中纳米Cu析出相高清高分辨图像的具体方法。利用该方法获得了大量能够用于晶体结构解析的Cu析出相高分辨图像。这是具有强磁性样品在拍摄其高分辨图像领域的重大突破。

    一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法

    公开(公告)号:CN101373813A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810223081.6

    申请日:2008-09-26

    Abstract: 一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法,属于磁性薄膜领域。其特征是用一定厚度的(Ni81Fe19)64Cr36为缓冲层,用以诱导强的(111)Ni81Fe19衍射峰,同时在Ni81Fe19表面沉积Al2O3纳米氧化层,利用纳米氧化层的“镜面散射”作用提高Ni81Fe19薄膜的AMR值。采用磁控溅射方法制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。薄膜结构为:(Ni81Fe19)64Cr36(1~13nm)/Ni81Fe19(10~200nm)/Al2O3(1~3nm)/Ta(5~9nm)薄膜,溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5~1小时,维持在气压0.1~0.5Pa,控制薄膜杂质含量小于0.1%。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时,仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能,以满足磁传感器的性能和产品需求。

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