公开(公告)号：CN112557422B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202010933864.4

申请日：2020-09-08

申请人： FEI 公司

发明人： B·亨德里克森 ,  M·奎吉珀 ,  L·梅莱 ,  P·多纳 ,  E·拉贾 ,  A·阿米尼安

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/20058 ,  G01N1/38

摘要： 用于低温电子显微镜的样品制备方法和装置。提供了各种方法和装置来寻找用于低温电子显微镜的样品的最佳样品条件。可使用样品检查装置筛选具有不同样品条件的多个样品。所述样品检查装置包括形成在顶部电子透明层与底部电子透明层之间的至少一个室，其用于固持所述样品。所述室内布置有多个柱。所述样品检查装置包括覆盖所述多个柱中的至少一个的窗口。

公开(公告)号：CN115963129B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202211614713.8

申请日：2022-12-13

申请人： 重庆大学

发明人： 张大梁 ,  周金飞 ,  韦妮旎 ,  王雨娇

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G06T17/00 ,  G06T7/557 ,  G06T5/70 ,  G06T5/10 ,  G01N23/20058 ,  G01N23/2055 ,  G01N23/207

摘要： 本发明公开了基于4D STEM图像序列的三维重构方法和装置，涉及电镜三维重构技术领域。该方法具体实施方式包括：在扫描透射成像模式，对包含样品的实空间进行会聚电子束扫描；收集设定范围内的不同散焦深度的多组CBED图像数据，N1：利用确定出的不同散焦深度的层间距、会聚电子束的会聚角和不同探针位置收集到的属于同一散焦深度的CBED图像数据，获取不同散焦的图层图像；N2：利用不同散焦的图层图像构建样品的当前三维结构，并对当前三维结构进行评估，在评估结果指示满足预设收敛条件的情况下，确定当前三维结构为样品三维结构；否则，调整散焦深度的层间距，并执行步骤N1。该实施方式有效地提高重构的三维结构的准确性。

公开(公告)号：CN114002247B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202111389906.3

申请日：2021-11-23

申请人： 苏州青云瑞晶生物科技有限公司

发明人： 陈柏桦 ,  刘磊峰

IPC分类号： G01N23/20058

摘要： 本发明实施例提供的对电子束敏感晶体的三维电子衍射数据采集方法及系统，首先按照在对电子束敏感晶体的三维电子衍射数据采集过程中获得的匹配采集干扰因素的环境干扰活动信息，提取具有时空域联系的多个环境干扰时空域分布，然后确定所述环境干扰时空域分布对应的时空域映射特征，假设所述时空域映射特征匹配预设状态条件，确定与所述具有时空域联系的多个环境干扰时空域分布对应的测试环境干扰事件，最后按照所述测试环境干扰事件以及所述三维电子衍射数据采集过程的环境干扰活动信息，对所述时空域映射特征进行干扰去噪。如此，可针对环境干扰活动进行智能决策分析，并由此进行干扰去噪处理，提高采集可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN114216916B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202111151484.6

申请日：2021-09-29

申请人： 中材锂膜有限公司

发明人： 董秋春 ,  朱滕辉 ,  薛山 ,  刘志刚 ,  史新明 ,  马源 ,  刘杲珺

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/20058 ,  G01N23/2251 ,  G01R31/12

摘要： 本发明公开了一种测试隔膜耐电气强度的方法，它包括以下步骤：S1、激发电子束或离子束处理隔膜样品；S2、放大成像装置对样品的处理位置进行表征，获得图像数据；S3、根据图像数据中表面结构形变或保持程度判断其耐电气强度。通过本发明方法可以有效判断薄膜微观层面对电气强度的耐受性，以便对比或判断其使用寿命。

公开(公告)号：CN117054273A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310655806.3

申请日：2023-06-05

申请人： 吉林大学

发明人： 王顺博 ,  李先柯 ,  赵宏伟

IPC分类号： G01N3/42 ,  G01N3/02 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2206 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/203 ,  G01N23/20058 ,  G01N23/20008

摘要： 本发明涉及一种双模式原位表征材料亚表面区域的压痕测试方法及测试装置，适用于扫描电镜内原位观测，将试样与楔形压头分别固定于原位测试装置的夹具中，并使试样已抛光一侧位于扫描电镜内电子背散射衍射仪可观测位置与角度，在楔形压头压入试样表面的过程中，通过扫描电镜原位获取压痕接触表面下方区域的形貌变化，同时扫描电镜内的电子背散射衍射仪同步获取压痕接触表面下方区域的晶体结构变化，可进一步计算该区域的晶体取向变化与位错分布，结构简单可操作性强、表征效果好，在扫描电镜内获取压痕接触表面下方区域变形损伤过程，提升对晶体材料微区载荷作用下接触行为的理解。

公开(公告)号：CN117007620A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311266359.9

申请日：2023-09-28

申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司

发明人： 臧科涛 ,  范丽萍 ,  曾旭

IPC分类号： G01N23/04 ,  G01N23/20008 ,  G01N23/20058

摘要： 本申请提供了一种芯片内部结构检测方法，通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，制样完成后再将格栅转移到透射电子显微镜内，依次观察立柱上对应的样品，通过观察结果确定芯片内部结构是否出现异常，不仅解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测的问题，还解决了含有多个相邻结构时牺牲其他结构而只能制备一个样品的问题，进而减少了样品和透射电子显微镜之间进行多次更换样的频率，达到提高检测效率的技术效果。

公开(公告)号：CN114717539B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210514782.5

申请日：2022-05-12

申请人： 季华实验室

发明人： 黄星星 ,  何斌 ,  侯少毅 ,  黎天韵

IPC分类号： C23C16/48 ,  C23C16/44 ,  G01N23/20058

摘要： 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。

公开(公告)号：CN116609368A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310298145.3

申请日：2023-03-24

申请人： 北京科技大学

发明人： 王静靓 ,  尚成嘉 ,  徐斌 ,  钱融涛

IPC分类号： G01N23/203 ,  G01N23/20058 ,  G16C60/00

摘要： 本发明提供了一种钢铁材料复杂多相组织的高效定量化分析方法，涉及钢铁材料显微组织分析技术领域。该方法对复相组织样品进行EBSD表征，根据输出的EBSD原始数据文件(ctf文件)，首先分离出面心立方相(奥氏体)，然后基于畸变程度不同的体心立方相菊池带衬度值不同、对应灰度值不同这一特点，确定EBSD原始数据中每个被判定为体心立方相的像素点实际对应的相种类(铁素体、贝氏体、马氏体等)。本发明的方法适用于含有奥氏体和不同体心立方相的复杂多相组织。与现有技术相比，本发明可以对含有面心立方相，并具有多种体心立方相组织(两种及以上)的相成分分布和含量进行准确的分析。

公开(公告)号：CN116380951A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211742660.8

申请日：2022-12-30

申请人： FEI 公司

发明人： A·斯托克斯 ,  C·巴格 ,  B·范里尔 ,  V·布罗登 ,  焦成革 ,  L·李 ,  D·唐内特

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N1/28 ,  G01N23/046 ,  G01N23/203 ,  G01N23/20058

摘要： 本文公开了用于在带电粒子显微镜系统内对高反应性材料执行样品提取和保护盖放置的方法和系统。所述方法包含在支撑结构中制备嵌套空隙；将样品的至少一部分转移到所述嵌套空隙中；以及研磨来自限定所述嵌套空隙的所述支撑结构的区域的材料。研磨来自所述支撑结构的所述区域的所述材料使得所述被去除的材料中的至少一些重新沉积以在所述样品和所述支撑结构的剩余部分之间形成附着结合。在各种实施例中，然后可以使用对所述样品的连续切片断层扫描、对所述样品的增强型可插入背散射检测器(CBS)分析和对所述样品的电子背散射衍射(EBSD)分析中的一者或多者来研究所述样品。

公开(公告)号：CN107449792B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201710764232.8

申请日：2017-08-30

申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所

发明人： 罗端 ,  田进寿 ,  惠丹丹 ,  王兴 ,  温文龙 ,  卢裕

IPC分类号： G01N23/20058

摘要： 本发明涉及电子衍射技术领域，针对现有超快电子衍射装置难以突破100飞秒级时间分辨的技术问题，提供一种超紧凑型飞秒电子衍射装置，包括飞秒激光源、分束镜、三倍频装置、光学延迟线、真空腔室、飞秒电子枪、图像增强模块和图像采集系统；飞秒电子枪和图像增强模块沿紫外激光脉冲出射的方向依次设置于真空腔室内；图像采集系统设置在真空腔室的外部且正对图像增强模块；飞秒电子枪包括阴极和与阴极平行相对设置的阳极；阳极包括阳极电极和样品支撑网；阳极电极的中心开设完全贯穿阳极电极的中心阶梯孔，中心阶梯孔的大孔位于远离阴极的阳极表面；样品支撑网固定安装在中心阶梯孔内。