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公开(公告)号：CN117007622A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311280156.5
申请日：2023-10-07
申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N23/02 , G01N23/20
摘要： 本申请提供了一种芯片内部结构的失效位置确定方法，通过将一个芯片上沿着第一预设方向排列的多个待检测结构一起挖取下来，得到晶圆区块，对晶圆区块的各个待减薄子区进行第一次减薄，每个待减薄子区包含一个待检测结构，并且第一次减薄没有贯穿晶圆区块的高度，以在第一次减薄之后，生成待检测结构对应的待减薄结构、支撑结构以及位于相邻的待检测结构之间的间隔结构，在对每个待减薄子区进行第一次减薄之后对每个待减薄结构进行第二次减薄，得到各待检测结构对应的检测样品，在晶圆区块上保留按照第一预设方向排列的各个检测样品，解决了检测效率较低的技术问题，达到提高检测效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN117007620B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311266359.9
申请日：2023-09-28
申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N23/20058
摘要： 本申请提供了一种芯片内部结构检测方法，通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，制样完成后再将格栅转移到透射电子显微镜内，依次观察立柱上对应的样品，通过观察结果确定芯片内部结构是否出现异常，不仅解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测的问题，还解决了含有多个相邻结构时牺牲其他结构而只能制备一个样品的问题，进而减少了样品和透射电子显微镜之间进行多次更换样的频率，达到提高检测效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN117007622B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202311280156.5
申请日：2023-10-07
申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N23/02 , G01N23/20
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公开(公告)号：CN117214218A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311487092.6
申请日：2023-11-09
申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N23/2202
摘要： 本申请公开一种掺杂区域检测方法，涉及半导体制造技术领域，方法包括：在第一样品的掺杂区域上方沉积保护层，将掺杂区域与对应保护层从第一样品上切割下来作为第二样品，将第二样品粘接在耐酸材质的样品载网上；通过聚焦离子束对第二样品进行减薄加工，对减薄加工后的第二样品进行化学染色，通过扫描电子显微镜分析第二样品的染色区域；在第二样品的染色区域不满足掺杂区域深度阈值的情况下，对第二样品再次进行减薄加工和化学染色，通过扫描电子显微镜再次分析第二样品的染色区域；在第二样品的染色区域满足掺杂区域的深度阈值的情况下，对第二样品进行减薄加工以形成第三样品，通过透射电子显微镜分析第三样品的染色区域，得到掺杂区域的参数。
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公开(公告)号：CN117007620A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311266359.9
申请日：2023-09-28
申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N23/20058
摘要： 本申请提供了一种芯片内部结构检测方法，通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，制样完成后再将格栅转移到透射电子显微镜内，依次观察立柱上对应的样品，通过观察结果确定芯片内部结构是否出现异常，不仅解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测的问题，还解决了含有多个相邻结构时牺牲其他结构而只能制备一个样品的问题，进而减少了样品和透射电子显微镜之间进行多次更换样的频率，达到提高检测效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN117214218B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311487092.6
申请日：2023-11-09
申请人： 粤芯半导体技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/20008 , G01N23/2202
摘要： 本申请公开一种掺杂区域检测方法，涉及半导体制造技术领域，方法包括：在第一样品的掺杂区域上方沉积保护层，将掺杂区域与对应保护层从第一样品上切割下来作为第二样品，将第二样品粘接在耐酸材质的样品载网上；通过聚焦离子束对第二样品进行减薄加工，对减薄加工后的第二样品进行化学染色，通过扫描电子显微镜分析第二样品的染色区域；在第二样品的染色区域不满足掺杂区域深度阈值的情况下，对第二样品再次进行减薄加工和化学染色，通过扫描电子显微镜再次分析第二样品的染色区域；在第二样品的染色区域满足掺杂区域的深度阈值的情况下，对第二样品进行减薄加工以形成第三样品，通过透射电子显微镜分析第三样品的染色区域，得到掺杂区域的参数。
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