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公开(公告)号：CN111884607B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010597111.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN116153744A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211576985.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提出一种磁控管激励腔，涉及微波设备，所述磁控管激励腔包括波导管及金属环，所述波导管上具有天线孔；所述金属环包括固定部以及连接部；所述固定部呈环状设置，所述固定部的顶部边缘向外弯折形成有翻边，所述固定部的底部插设于所述天线孔中，所述翻边抵接在所述天线孔的边缘；所述连接部设置在所述翻边的顶部并朝顶部一侧凸起，以使所述连接部与所述翻边之间形成夹角。本发明技术方案在所述波导管的天线孔上安装所述金属环，通过对所述金属环的结构进行调整，使所述金属环的顶部向上凸起，从而在安装天线后，保证所述金属环与天线边缘的铜网有效连接，避免出现高频打火的情况。
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公开(公告)号：CN114486062B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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公开(公告)号：CN114486062A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114717539B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210514782.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/48 , C23C16/44 , G01N23/20058
Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
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公开(公告)号：CN115513073B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211473016.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/473 , H05K1/18 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种功率器件散热结构及其装配方法，属于电子器件领域，该散热结构无需直接对垂直焊接在电路板上的功率器件涂硅脂，而将硅脂印刷在用于传递热量的绝缘垫片的两面，厚度均匀可控，装配过程中保持功率器件和电路板的垂直关系，装配后，水冷板卧式放置且其上装配有金属底座，金属底座上设置有半开放凹槽，半开放凹槽内平放有两面均涂覆硅脂的绝缘垫片，半开放凹槽上悬设有压爪，功率器件夹在压爪与绝缘垫片之间，金属底座的侧部设置有连接电路板边角的安装部，一块水冷板上可以设置多个金属底座，即使应用于大尺寸的电路板，电路板之间可平行放置，不妨碍金属底座并排，有利于节约空间，同一水冷板上可实现多模块的组合装配。
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公开(公告)号：CN114544065A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
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公开(公告)号：CN111089988A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379941.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G01Q60/56
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性磁性探针及其制备方法，检测硅基探针针尖先端的曲率半径，筛选出曲率半径在规格要求以内的探针；将筛选合格的硅基探针悬臂水平放置，使针尖基体外侧面沿竖直向上，溅射沉积钝化层；将硅基探针悬臂竖直放置，使针尖基体外侧面沿水平方向，溅射沉积磁性感应层；将硅基探针悬臂与竖直方向成30º夹角进行放置，使针尖基体内侧面沿水平方向，溅射沉积磁性屏蔽层；通过采用本技术方案制得的磁性探针的成本低、工艺简单、可重复性好，具备高均匀性的磁感应信号强度，能充分保证定量分析结果的准确性，适用于工业生产用大批量连续的磁力显微镜检测。
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公开(公告)号：CN116243049A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310352476.0
申请日：2023-04-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及微波功率检测技术领域，具体提供了一种微波功率检测器，该检测器包括：波导管；多个探针组件，等距固定在所述波导管上，所述探针组件均包括衬套和可调探针，所述可调探针包括探针基座和探针针体，所述探针基座与所述探针针体螺纹连接，所述衬套具有调节腔，所述探针针体位于所述调节腔内，所述衬套紧贴所述探针基座以密封所述调节腔内；上盖，安装在波导管上，用于密封所述多个探针组件；该检测器能够有效地解决由于探针针体与波导管内的空气接触而导致探针针体材料氧化的问题。
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