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公开(公告)号：CN117459014A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311547679.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种多路射频功率分配电路，属于功率分配电路设计技术领域，包括多路等效电路，每路等效电路包括一个印制电感、第一电容、第二电容和一个电阻，所有等效电路中的第一电容的其中一端相互连接并作为功率输入端，且所有等效电路中的第一电容的另一端接地；每路等效电路中的印制电感的其中一端均与功率输入端连接，且另一端与同一等效电路中的第二电容的其中一端以及同一等效电路中的电阻的其中一端连接并作为功率输出端；所有等效电路中的第二电容的另一端接地；所有等效电路中的电阻的另一端相互连接。本发明的多路射频功率分配电路实现输入功率的多路平均分配，其结构紧凑，电路尺寸小，能够降低设计和制造成本，同时能够克服电感因变形导致电感值不稳定的缺陷，有效提高了功率分配电路的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113529031B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010286376.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp2碳键和sp3碳键的相对含量。本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。
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公开(公告)号：CN115124004B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210893433.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置，包括依次连接的固体料投放装置、搅拌罐、结晶釜、阴离子交换柱、阳离子交换柱、过滤器、浓缩器、固体料转移装置、真空干燥器、加热分解器、降膜分离器、除雾器、高纯硫酸吸收塔、超滤装置、真空洁净包装系；通过采用上述生产设备，可以以工业级硫酸氢钠为原料，制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的硫酸，并且产量高，产品质量稳定，以此来克服发烟硫酸和液体三氧化硫原料在使用时存在安全隐患、不环保、进料数量不能精确控制等问题。
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公开(公告)号：CN115010098B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210891740.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于硫酸加工领域，公开了一种高效制备超净高纯硫酸的方法。该方法是以工业级硫酸氢钠为原料，将络合、重结晶、阳离子交换树脂和阴离子交换树脂依次交换、脱水、过热蒸汽微孔膜过滤、真空减压干燥、减压热分解、三氧化硫吸收制备高纯硫酸结合在一起，可以制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的超净高纯硫酸，并且产量高，产品质量稳定。本发明克服了传统制备方法原料不安全、环保、杂质含量偏高、能耗高的不足。
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公开(公告)号：CN111940756B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010753405.8
申请日：2020-07-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开基于水相合成的合金半导体复合纳米材料制备方法及合金半导体复合纳米材料，所述制备方法包括纳米金种制备、纳米合金制备及复合纳米材料制备。本发明所提供的方法通过结合种子生长法和化学置换法，可制备得到两种或多种光电应用性质理想且粒径、厚度可控的复合纳米材料，所制备材料与其他单组分或其他方式合成的复合材料相比，局域表面等离子体耦合更理想，光热转换效率更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111089988B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201911379941.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G01Q60/56
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性磁性探针及其制备方法，检测硅基探针针尖先端的曲率半径，筛选出曲率半径在规格要求以内的探针；将筛选合格的硅基探针悬臂水平放置，使针尖基体外侧面沿竖直向上，溅射沉积钝化层；将硅基探针悬臂竖直放置，使针尖基体外侧面沿水平方向，溅射沉积磁性感应层；将硅基探针悬臂与竖直方向成30º夹角进行放置，使针尖基体内侧面沿水平方向，溅射沉积磁性屏蔽层；通过采用本技术方案制得的磁性探针的成本低、工艺简单、可重复性好，具备高均匀性的磁感应信号强度，能充分保证定量分析结果的准确性，适用于工业生产用大批量连续的磁力显微镜检测。
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公开(公告)号：CN115124004A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210893433.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置及生产方法，其中，所述生产装置包括依次连接的固体料投放装置、搅拌罐、结晶釜、阴离子交换柱、阳离子交换柱、过滤器、浓缩器、固体料转移装置、真空干燥器、加热分解器、降膜分离器、除雾器、高纯硫酸吸收塔、超滤装置、真空洁净包装系；通过采用上述生产设备，可以以工业级硫酸氢钠为原料，制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的硫酸，并且产量高，产品质量稳定，以此来克服发烟硫酸和液体三氧化硫原料在使用时存在安全隐患、不环保、进料数量不能精确控制等问题。
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公开(公告)号：CN114130045A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111526817.9
申请日：2021-12-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种超净高纯电子化学品的蒸发浓缩装置及其应用，其中的蒸发浓缩装置包括外壳体、内壳体、真空抽气设备以及加热组件；所述外壳体的内腔为一级真空腔体，所述内壳体的内腔为二级真空腔体，所述一级真空腔体和二级真空腔体分别与所述真空抽气设备连接；所述内壳体设置在所述一级真空腔体中，所述外壳体和内壳体的顶部处设有用于密封一级真空腔体和二级真空腔体的顶部开口的顶盖密封组件，所述顶盖密封组件可拆卸设置在所述外壳体和内壳体顶部，所述加热组件的发热端作用在所述内壳体上；所述二级真空腔体中设有用于固定装有样品的烧杯的固定架。本发明实现对超净高纯电子化学品的蒸发浓缩，且快速高效，维护成本低。
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公开(公告)号：CN111172504B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201911382863.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射阴极，包括靶材、第一磁体结构和第二磁体结构；第一磁体结构产生第一磁力线回路，形成第一磁场；第二磁体结构产生第二磁力线回路，形成第二磁场；当启动溅射时，第一磁场作用使靶材位于第一磁力线回路内的区域形成第一等离子区，第二磁场作用使靶材位于第二磁力线回路内的区域形成第二等离子区，实现溅射；第二等离子区和第一等离子区叠加区域不完全重合；通过在第一磁体结构的基础上叠加第二磁体结构，可以增大靶材的溅射使用面积，溅射靶材的溅射后表面形态可以由V形变成U形，靶材的利用率可以从传统的20~25%增加到30~35%，提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN112501586A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011140464.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/08 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片，其中，包括以下步骤：将金属颗粒或粉状物置于真空室内；通入高纯卤族气体与金属颗粒或粉状物在常温下进行反应；对反应得到的卤化金属气体进行吸附过滤；利用卤化金属气体与杂质的沸点差别进行精馏提纯；将提纯后的卤化金属气体与高纯氢气分别通入等离子体增强化学气相沉积镀膜设备腔室内，在半导体衬底上沉积金属薄膜。本发明方法过程简单，成本低，对原材料的纯度要求低，获得原材料容易，同时可有效提高难熔金属薄膜的纯度。
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