一种窄滞回宽度薄膜材料及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN119592913A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411859498.7

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本申请涉及传感器技术领域,主要涉及一种窄滞回宽度薄膜材料及其制备方法、应用。本申请通过对二氧化钒薄膜进行掺杂引入带有磁性的稀土元素钆(Gd)和钛(Ti),作为杂质离子可有效地取代或破坏钒离子的V4+‑V4+共价键,进而增加薄膜中的缺陷对二氧化钒薄膜的相变特性进行调控,所提供的薄膜材料还具有窄的滞回宽度,有助于实现零滞回宽度的广泛应用突破,同时还具备有优异的可逆相变与循环稳定性以及超灵敏温度响应与快速开关特性,可为传感器领域的发展提供有力的支持。

    粉末镀膜装置及其镀膜方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118086847A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410254849.5

    申请日:2024-03-06

    Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域,公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法,该镀膜方法包括:响应于工作人员输入的启动指令,粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料,以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面,预设周期后,粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行,得到表面镀膜均匀的粉末,通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法,对粉末进行镀膜,提高了粉末镀膜的效率。

    一种脉冲激光沉积设备及其使用方法

    公开(公告)号:CN117904584A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410112954.5

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本申请提供了一种脉冲激光沉积设备及其使用方法,涉及薄膜制备技术领域。通过在放置台和沉积台之间设置加热线圈,靶材的溅射物会向上飞出穿过加热线圈,溅射物中的大颗粒会受到重力作用向下跌落,还有部分杂质跟随溅射物继续向上,在穿过加热线圈时,这些杂质会被加热线圈进行加热离化形成等离子体,达到过滤杂质的作用以及避免了等离子体的浪费,同时提高了总的等离子体密度,从而提高薄膜的沉积效果,最后,待沉积工件表面的沉积物几乎为等离子体,减少了杂质污染的可能性;另外,由于杂质在加热线圈中被加热离化形成等离子体,这部分等离子体到待沉积工件的表面距离比较短,能够增加待沉积工件表面的等离子体密度,从而有利于提高沉积效率。

    一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置

    公开(公告)号:CN115124004B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202210893433.9

    申请日:2022-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置,包括依次连接的固体料投放装置、搅拌罐、结晶釜、阴离子交换柱、阳离子交换柱、过滤器、浓缩器、固体料转移装置、真空干燥器、加热分解器、降膜分离器、除雾器、高纯硫酸吸收塔、超滤装置、真空洁净包装系;通过采用上述生产设备,可以以工业级硫酸氢钠为原料,制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的硫酸,并且产量高,产品质量稳定,以此来克服发烟硫酸和液体三氧化硫原料在使用时存在安全隐患、不环保、进料数量不能精确控制等问题。

    一种高效制备超净高纯硫酸的方法

    公开(公告)号:CN115010098B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210891740.3

    申请日:2022-07-27

    Abstract: 本发明属于硫酸加工领域,公开了一种高效制备超净高纯硫酸的方法。该方法是以工业级硫酸氢钠为原料,将络合、重结晶、阳离子交换树脂和阴离子交换树脂依次交换、脱水、过热蒸汽微孔膜过滤、真空减压干燥、减压热分解、三氧化硫吸收制备高纯硫酸结合在一起,可以制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的超净高纯硫酸,并且产量高,产品质量稳定。本发明克服了传统制备方法原料不安全、环保、杂质含量偏高、能耗高的不足。

    一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置及生产方法

    公开(公告)号:CN115124004A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210893433.9

    申请日:2022-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种高效制备超净高纯硫酸连续生产装置及生产方法,其中,所述生产装置包括依次连接的固体料投放装置、搅拌罐、结晶釜、阴离子交换柱、阳离子交换柱、过滤器、浓缩器、固体料转移装置、真空干燥器、加热分解器、降膜分离器、除雾器、高纯硫酸吸收塔、超滤装置、真空洁净包装系;通过采用上述生产设备,可以以工业级硫酸氢钠为原料,制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的硫酸,并且产量高,产品质量稳定,以此来克服发烟硫酸和液体三氧化硫原料在使用时存在安全隐患、不环保、进料数量不能精确控制等问题。

    一种超净高纯电子化学品的蒸发浓缩装置及其应用

    公开(公告)号:CN114130045A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111526817.9

    申请日:2021-12-13

    Abstract: 本发明公开一种超净高纯电子化学品的蒸发浓缩装置及其应用,其中的蒸发浓缩装置包括外壳体、内壳体、真空抽气设备以及加热组件;所述外壳体的内腔为一级真空腔体,所述内壳体的内腔为二级真空腔体,所述一级真空腔体和二级真空腔体分别与所述真空抽气设备连接;所述内壳体设置在所述一级真空腔体中,所述外壳体和内壳体的顶部处设有用于密封一级真空腔体和二级真空腔体的顶部开口的顶盖密封组件,所述顶盖密封组件可拆卸设置在所述外壳体和内壳体顶部,所述加热组件的发热端作用在所述内壳体上;所述二级真空腔体中设有用于固定装有样品的烧杯的固定架。本发明实现对超净高纯电子化学品的蒸发浓缩,且快速高效,维护成本低。

    一种掺杂金刚石制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117070917A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311166005.7

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 本申请属于光电技术领域,公开了一种掺杂金刚石制备方法,该方法包括:将基材和靶材放置在微波等离子体化学气相沉积系统中反应室的样品台上,反应室进行抽真空操作后,对基材的表面和靶材的表面进行清洗,向反应室输入氢气以及调节反应室的腔体气压和微波功率,以在反应室进行起辉操作和升温操作,以甲烷气体和氢气作为气源,用激光器照射靶材以析出激光诱导等离子体,并使激光诱导等离子体掺入基材表面,以使基材表面生长掺杂金刚石,通过激光技术,使靶材析出的激光诱导等离子体掺入基材表面,以使基材表面制备得到掺杂金刚石,提高了掺杂金刚石制备的效率。

    一种磺酸化GO分子印迹聚合物复合膜及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN119926183A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510427169.3

    申请日:2025-04-07

    Abstract: 本申请涉及生物化工技术领域,主要涉及一种磺酸化GO分子印迹聚合物复合膜及其制备方法、应用。其中,磺酸化GO分子印迹聚合物复合膜的制备方法包括以下步骤:将磺酸化氧化石墨烯分散于第一溶剂中,加入分子印迹聚合物分散后,再加入PVDF搅拌,再加入致孔剂,得到铸膜液;将铸膜液刮膜,经过相转换得到磺酸化GO分子印迹聚合物复合膜。本申请通过分子印迹聚合物、磺酸化氧化石墨烯、PVDF以及致孔剂制备铸膜液,经过刮膜并进行相转化后,能够制得综合性能良好的复合膜,对目标提取物的膜分离效果较好,识别性能好,能够提高定向过滤效果并有助于实现反式阿魏酸大规模分离纯化。

    一种红景天苷的分离纯化方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119591651A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411646542.6

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 本申请涉及分离纯化技术领域,公开了一种红景天苷的分离纯化方法,步骤包括:(1)将大孔树脂作为填料填入耐有机中压层析柱中,将所述耐有机中压层析柱安装于高效液相色谱仪的色谱柱位置;(2)将红景天苷粗品溶解,调节红景天苷粗品的pH,作为上样液;(3)将上样液上样于耐有机中压层析柱,采用高效液相色谱仪作为输液系统,采用乙醇水溶液对上样液进行洗脱,分段收集洗脱液;大孔树脂为大孔树脂LX‑32。所提供的分离纯化方法可快速获得高纯度红景天苷产品,分离纯化工艺简便,纯度高,回收率大,可有效解决市面上大规模工业化提取分离方法不成熟、过程复杂、稳定性不高、回收率低、重复使用次数低、提取率低等问题。

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