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公开(公告)号：CN119592913A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411859498.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及传感器技术领域，主要涉及一种窄滞回宽度薄膜材料及其制备方法、应用。本申请通过对二氧化钒薄膜进行掺杂引入带有磁性的稀土元素钆（Gd）和钛（Ti），作为杂质离子可有效地取代或破坏钒离子的V4+‑V4+共价键，进而增加薄膜中的缺陷对二氧化钒薄膜的相变特性进行调控，所提供的薄膜材料还具有窄的滞回宽度，有助于实现零滞回宽度的广泛应用突破，同时还具备有优异的可逆相变与循环稳定性以及超灵敏温度响应与快速开关特性，可为传感器领域的发展提供有力的支持。
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公开(公告)号：CN119337534A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411840017.8
申请日：2024-12-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种微波远程等离子源参数优化设计方法及相关设备，涉及微波远程等离子源技术领域。该方法包括步骤：根据电子截止密度确定电子密度参数集；设定工作气体的材料参数；设定物理场为频域求解的电磁波场；基于参数化建模结果得到微波远程等离子源在点火状态下以及在工作状态下的电场分布；根据电子密度参数集和预设的放电管厚度参数集获得多种参数组合，并针对各个参数组合获取每个指针对应的指针数据；根据所有指针数据确定最优的放电管厚度。本发明的方法实现了以参数化的评估指标展现电场分布的合理性，达到在进行参数扫描后能够快速确定最优设计参数的效果。
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公开(公告)号：CN119053000A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411332595.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子体源腔体结构，在环形腔体的出气口处设置具有孔道和第一螺旋叶片的螺旋分离器以及副驱动线圈，利用副驱动线圈产生的磁场约束等离子体的运动范围，使等离子体从孔道穿过，输出气流中的污染颗粒物不受该磁场影响从而在螺旋流动过程中与第一螺旋叶片和出气口内壁摩擦降速并最终被吸附，有效减少从出气口输出的等离子体中包含的污染颗粒物的含量。
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公开(公告)号：CN115595553B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN118086847A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410254849.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域，公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法，该镀膜方法包括：响应于工作人员输入的启动指令，粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料，以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面，预设周期后，粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行，得到表面镀膜均匀的粉末，通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法，对粉末进行镀膜，提高了粉末镀膜的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165905A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411673464.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种远程等离子源设备胶圈局部降温方法及系统，基于在远程等离子源设备胶圈上沿周向均匀排布的冷却装置和温度传感器，通过从历史数据库提取特征数据组，确立能量损失模型，确定最优特征数据组，并基于实时测量的局部温度进行降温控制，实现了精确的局部温度控制，提高了降温效率，减少了能源浪费，优化了降温效果。
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公开(公告)号：CN118412418B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410824622.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及Micro‑LED巨量转移技术领域，本发明公开了一种用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，包括剥离机本体、暂态板、定位组件、主动激光扫描组件以及若干从动激光扫描组件，剥离机本体内设有剥离室；暂态板摆放在剥离室底部，暂态板上设有芯片板；定位组件设于暂态板上方，定位组件上设有基座；主动激光扫描组件设于基座底部，主动激光扫描组件上设有第一激光扫描头；从动激光扫描组件设于基座底部，从动激光扫描组件上设有第二激光扫描头，第一激光扫描头和第二激光扫描头的激光发射方向均位于同一水平面上。本发明提供的用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，保证芯片板在牺牲层被激光扫描过程中的稳定性高，以及提高激光剥离效率。
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公开(公告)号：CN118070563A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117070917A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311166005.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/27 , C23C16/48 , C23C16/511 , C23C16/52
Abstract: 本申请属于光电技术领域，公开了一种掺杂金刚石制备方法，该方法包括：将基材和靶材放置在微波等离子体化学气相沉积系统中反应室的样品台上，反应室进行抽真空操作后，对基材的表面和靶材的表面进行清洗，向反应室输入氢气以及调节反应室的腔体气压和微波功率，以在反应室进行起辉操作和升温操作，以甲烷气体和氢气作为气源，用激光器照射靶材以析出激光诱导等离子体，并使激光诱导等离子体掺入基材表面，以使基材表面生长掺杂金刚石，通过激光技术，使靶材析出的激光诱导等离子体掺入基材表面，以使基材表面制备得到掺杂金刚石，提高了掺杂金刚石制备的效率。
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公开(公告)号：CN115595553A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室(CN)
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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