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发明公开
一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材有权

公开(公告)号：CN115595553A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211407075.2

申请日：2022-11-10

Applicant: 季华实验室(CN)

Inventor： 郭可升 , 刘乔 , 杨振怀 , 郭晓东 , 胡强

IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , G01N21/65

Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。

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